[发明专利]一种FeSe1-x 在审
| 申请号： | 202110665675.8 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113402277A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 葛军饴;张含芳;姜琬琰 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/622;C23C14/34 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 刘洁 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fese base sub | ||
本发明公开了一种FeSe1‑xTex靶材的制备工艺，在热压烧结时，对烧结炉腔体以氩气抽洗三次，真空度保持在10‑2Pa，对模具中的粉胚施加27MPa的压强，在整个烧结过程中保持该压强，以30％的输出功率经由30min升温至400℃，再以50％的输出功率经由30min升温至目标温度400℃‑700℃，最终在400℃‑700℃保温12小时。本技术工艺制备的FeSe1‑xTex靶材相比于现有工艺所制备的靶材，其致密性得到了较大的提高，并且可以通过改变烧结目标温度连续调控FeSe1‑xTex靶材的致密性，同时制得的FeSe1‑xTex靶材成相好；解决了现有工艺制备的FeSe1‑xTex靶材不够致密，经脉冲激光多次轰击后易粉化的问题；本制备工艺易于实现工业化，可用于百米、千米级FeSe1‑xTex长带涂层导体的制备，具有良好的应用前景。
技术领域
本发明属于靶材制备技术领域，特别是涉及一种FeSe1-xTex靶材的制备工艺。
背景技术
FeSe1-xTex材料凭借其高临界磁场、高临界电流密度和小的各向异性在下一代高场磁体的设计中具有重要的应用前景。绕制高场磁体要解决的首要问题是制备出高性能的FeSe1-xTex长带涂层导体。脉冲激光沉积(PLD)是当前FeSe1-xTex涂层导体制备的最主要方法。在FeSe1-xTex长带涂层导体的制备中，FeSe1-xTex靶材是通过PLD激光的轰击不断产生等离子体羽辉的溅射源。而现在通过传统的固相反应法制备得到的FeSe1-xTex靶材，其致密性都普遍不高。这样的靶材在PLD产生的高能量密度以及高频率的激光的轰击下，易粉化，致使后续的成膜不平整且均匀性不佳，无法实现长带涂层导体的制备。
发明内容
为了克服上述的问题，本发明提供了一种高质量、致密度可调控的FeSe1-xTex靶材的制备工艺。
本发明所采用的技术方案是：
一种FeSe1-xTex靶材的制备工艺，包括如下步骤：
步骤一：对原材料进行配比称量：铁粉为100目、硒粉为200目、碲粉为100目；
步骤二：称量后的粉末放置于玛瑙研钵中充分研磨30min，随后将研磨好的混合粉末以400Mpa的压强保持10min压制成片，封装在真空石英管中，进行第一次固相反应；
步骤三：以5℃/min的升温速率升至400℃，预反应24小时，再以5℃/min的速率升温至700℃，保温3天，随后降至室温；
步骤四：对片状混合粉末进行碾碎，研磨60min，再以400Mpa的压强保持10min压制成片，封装在真空石英管中，进行第二次固相反应；
步骤五：以2℃/min的速率升温至700℃，保温3天，随后降至室温；
步骤六：对片状混合粉末进行碾碎，研磨60min，再以400Mpa的压强保持10min压制成片，封装在真空石英管中，进行第三次固相反应；
步骤七：以2℃/min的速率升温至700℃，保温3天，随后降至室温。保证粉胚的反应充分；
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