[发明专利]3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法

权利要求书

1.一种3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述监测方法包括：

在衬底上形成叠层结构和以平面图案分布的多个测量结构；以及

采用多次刻蚀步骤，在所述叠层结构中形成第一台阶结构、第二台阶结构，以及连接所述第一台阶结构和所述第二台阶结构的桥接结构；

其中，在所述多次刻蚀步骤中，采用所述多个测量结构分别测量所述桥接结构的线宽变化。

2.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，在所述多次刻蚀步骤中，多次刻蚀所述叠层结构以形成包括多个桥接单元的所述桥接结构。

3.根据权利要求2所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述采用所述多个测量结构分别测量所述桥接结构的线宽变化包括：

在所述多个测量结构中的相应一个上形成与所述桥接单元线宽成预定比例的光刻胶掩模，并对所述多个测量结构中的相应一个进行刻蚀，以形成表征所述桥接单元关键尺寸的伪桥接单元。

4.根据权利要求3所述3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述预定比例为1：1。

5.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，还包括：

在所述多次刻蚀步骤之前，采用第一阻挡层遮挡所述多个测量结构中的一组测量结构；以及

在所述多次刻蚀步骤的每次刻蚀步骤前，去除所述一组测量结构中的相应一个的第一阻挡层。

6.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，还包括：

在所述多次刻蚀步骤前，采用第一阻挡层遮挡所述多个测量结构中一组测量结构的非选择测量结构；以及

在所述多次刻蚀步骤的除第一次刻蚀的每次刻蚀步骤前，去除所述一组测量结构中的相应一个的第一阻挡层。

7.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述在衬底上形成叠层结构和以平面图案分布的多个测量结构包括：

采用与所述叠层结构相同的材料形成以平面图案分布的所述多个测量结构。

8.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述桥接结构与所述多个测量结构在垂直于所述衬底方向上的高度相同。

9.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述在衬底上形成叠层结构和以平面图案分布的多个测量结构包括：

在所述衬底的存储区形成所述叠层结构。

10.根据权利要求1所述的3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法，所述在衬底上形成叠层结构和以平面图案分布的多个测量结构包括：

在所述衬底的切割道上形成以平面图案分布的所述多个测量结构。