[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

薄膜晶体管层，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极、与所述第一栅极对应设置的有源层，以及与所述有源层电连接的源漏极；

钝化层，设置在所述薄膜晶体管层上；

第二栅极层，设置在所述钝化层上，所述第二栅极层包括与所述第一栅极位置对应的第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极在所述阵列基板的厚度方向上至少部分重叠；

像素电极层，所述像素电极层与所述第二栅极层同层设置，所述像素电极层包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极通过对应设置的所述薄膜晶体管充电；

其中，在所述阵列基板的厚度方向上，所述有源层、所述第一栅极、所述第二栅极的正投影全部重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极与所述第二栅极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极包括电连接部，所述钝化层上对应所述电连接部的位置开设有通孔，所述通孔延伸至所述第一栅极的电连接部，所述第二栅极穿过所述通孔与所述第一栅极的电连接部电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极、所述有源层和所述源漏极依次设于所述基板上，所述第一栅极和所述有源层之间设置有栅极绝缘层，所述通孔贯穿所述栅极绝缘层并延伸至所述第一栅极的电连接部。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层、所述第一栅极和所述源漏极依次设于所述基板上，所述源漏极与所述第一栅极之间设置有平坦化层，所述通孔贯穿所述平坦化层并延伸至所述第一栅极。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔的直径沿所述钝化层至所述基板方向逐渐减小。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置在所述钝化层上的像素电极层。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制作薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极、与所述第一栅极对应设置的有源层、以及与所述有源层电连接的源漏极；

在所述薄膜晶体管层上制作钝化层；

在所述钝化层上制作像素电极层和第二栅极层，所述第二栅极层包括与所述第一栅极位置对应的第二栅极；所述像素电极层与所述第二栅极层同层设置，所述像素电极层包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极通过对应设置的所述薄膜晶体管充电；

其中，在所述阵列基板的厚度方向上，所述有源层、所述第一栅极、所述第二栅极的正投影全部重叠。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一栅极、所述有源层和所述源漏极依次设于所述基板上，所述第一栅极和所述有源层之间设置有栅极绝缘层；所述第一栅极包括电连接部；所述在所述钝化层上制作像素电极层和第二栅极层的步骤中，包括：

在所述钝化层上开设通孔，并使所述通孔并穿过所述栅极绝缘层延伸至所述电连接部；

在所述钝化层上制作像素电极层和第二栅极层，并使所述第二栅极层的第二栅极穿过所述通孔与所述第一栅极的电连接部电连接。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板。