[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板

说明书

本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管层、钝化层和第二栅极层。薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括第一栅极、与第一栅极对应设置的有源层，以及与有源层电连接的源漏极；第二栅极层包括与第一栅极位置对应的第二栅极。通过在钝化层上设置第二栅极层，并使第二栅极层的第二栅极与薄膜晶体管中的第一栅极对应，提高了薄膜晶体管的开态电流和充电率；同时在制作第二栅极时，可以使第二栅极层和像素电极层通过同一制程制作，避免增加额外的光罩和制程。由此简化了制作工艺，降低了成本。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示面板具有体积小、对比度高等优点，其应用越来越广泛。随着TFT显示器性能的提高，包括高分辨率吧、高刷新率等，都对于阵列基板中的薄膜晶体管的性能，包括迁移率和充电率提出更高的要求。

为了提升TFT中的电子迁移率，以提高TFT的开态电流和充电率，通常采用双栅极设计的方式。即在原有的TFT的基础上，增加一个栅极。然而，新增一个栅极会导致制程和光罩的增加，使工艺变得复杂，同时增大了生产成本。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板，旨在解决现有的阵列基板中采用双栅极TFT时导致的工艺较复杂和成本较高的问题。

第一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板；

薄膜晶体管层，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极、与所述第一栅极对应设置的有源层，以及与所述有源层电连接的源漏极；

钝化层，设置在所述薄膜晶体管层上；

第二栅极层，设置在所述钝化层上，所述第二栅极层包括与所述第一栅极位置对应的第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极在所述阵列基板的厚度方向上至少部分重叠。

可选的，所述第一栅极与所述第二栅极电连接。

可选的，所述第一栅极包括电连接部，所述钝化层上对应所述电连接部的位置开设有通孔，所述通孔延伸至所述第一栅极的电连接部，所述第二栅极穿过所述通孔与所述第一栅极的电连接部电连接。

可选的，所述第一栅极、所述有源层和所述源漏极依次设于所述基板上，所述第一栅极和所述有源层之间设置有栅极绝缘层，所述通孔贯穿所述栅极绝缘层并延伸至所述第一栅极的电连接部。

可选的，所述有源层、所述第一栅极和所述漏源极依次设于所述基板上，所述源漏极与所述第一栅极之间设置有平坦化层，所述通孔贯穿所述平坦化层并延伸至所述第一栅极。

可选的，所述通孔的直径沿所述钝化层至所述基板方向逐渐减小。

可选的，所述阵列基板包括设置在所述钝化层上的像素电极层，所述第二栅极层与所述像素电极层同层设置。

第二方面，本申请提供了一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制作薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极、与所述第一栅极对应设置的有源层，以及与所述有源层电连接的源漏极；

在所述薄膜晶体管层上制作钝化层；

在所述钝化层上制作像素电极层和第二栅极层，所述第二栅极层包括与所述第一栅极位置对应的第二栅极。