[发明专利]一种检测方法、装置、电子设备及可读存储介质

说明书

本申请适用于集成电路技术领域，提供了一种检测方法、装置、电子设备及可读存储介质，方法用于检测晶粒，晶粒用于集成电路的设计中，晶粒为多位元的存储结构，位元对应的存储结构中包括用于重复烧录的目标器件，目标器件为熔丝或反熔丝；对晶粒中位元对应的目标器件进行N次烧录；获取进行N次烧录后的烧录结果；将所述烧录结果输入至已训练的类神经网络模型中进行检测，得到检测结果，所述类神经网络模型用于检测所述晶粒是否合格。由于可根据N次烧录结果，通过已训练的类神经网络模型检测晶粒是否合格，得到检测结果，无需将所有位元中的目标器件烧断后再判定晶粒为合格晶粒，从而可节约检测时间，提高了检测效率。

技术领域

本申请属于集成电路技术领域，尤其涉及一种检测方法、装置、电子设备及可读存储介质。

背景技术

在半导体集成电路设计中，电子熔丝(E-fuse)因为具有多种用途而被广泛使用，如用于集成电路的晶粒中就可采用电子熔丝，所述电子熔丝可是基于金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)的熔丝(fuse)和反熔丝(Anti-fuse)。

在对晶粒测试过程中，需检测基于反熔丝或熔丝的晶粒的有效性，可在有限烧录次数内将所有位元中的反熔丝或熔丝均烧断后的晶粒判定为合格晶粒，此方式检测时间较长，从而检测效率低。

上述背景描述是为了提供本申请内容目的的概述，应从这一观点来阅读，不应被理解为现有技术。

发明内容

本申请实施例提供了一种检测方法、装置、电子设备及可读存储介质，旨在解决现有检测时间较长，使得检测效率低的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种检测方法，用于检测晶粒，所述晶粒用于集成电路的设计中，所述晶粒为多位元的存储结构，每个位元对应的存储结构中包括用于重复烧录的目标器件，所述目标器件为熔丝或反熔丝；

所述方法包括：

对所述晶粒中位元对应的目标器件进行N次烧录；其中，所述N≥1且为整数；

获取进行N次烧录后的烧录结果；

将所述烧录结果输入至已训练的类神经网络模型中进行检测，得到检测结果，所述类神经网络模型用于检测所述晶粒是否合格。

在一个实施例中，所述获取进行N次烧录后的烧录结果，包括：

检测每次烧录后所述晶粒中未烧断的目标器件；

获取每次烧录后未烧断的目标器件对应的位元数目。

在一个实施例中，所述将所述烧录结果输入至已训练的类神经网络模型中进行检测，包括：将N次未烧断的目标器件对应的位元数目输入至已训练的类神经网络模型中进行检测。

在一个实施例中，所述已训练的类神经网络模型为根据进行标注后的数据集，对预先构建的类神经网络模型进行训练，得到的类神经网络模型，所述标注后的数据集为对采集的多个合格晶粒和不合格晶粒的前N次烧录结果进行标注后得到的数据集。

在一个实施例中，所述检测每次烧录后所述晶粒中未烧断的目标器件，包括：

通过读操作读取晶粒中位元的数据，根据读取的数据检测每次烧录后所述晶粒中未烧断的目标器件。

在一个实施例中，所述通过读操作读取晶粒中位元的数据，根据读取的数据检测每次烧录后所述晶粒中未烧断的目标器件，包括：

所述目标器件为反熔丝，且在通过读操作读取晶粒中位元的数据为1时，判定对应的位元中的反熔丝烧断；

所述目标器件为反熔丝，且在通过读操作读取晶粒中位元的数据为0时，判定对应的位元中的反熔丝未烧断。

在一个实施例中，所述对所述晶粒中位元对应的目标器件进行N次烧录，包括：