[发明专利]提高外延片均匀度的外延托盘及其制备方法

说明书

本公开公开了一种提高外延片均匀度的外延托盘及其制备方法，属于外延生长技术领域。圆形凹槽的底面均具有调整凸起与调整槽，调整凸起与调整槽的大部分都位于圆形凹槽较为靠近外延托盘的边缘的部分。调整凸起的传热慢，调整凸起对应的衬底的温度相对较低一点。调整凸起与调整槽的位置配合可以减小气流对调整凸起与调整槽的冲击影响，调整槽本身可以增大圆形凹槽的底面与衬底之间的距离，以增大衬底与热源之间的距离，降低衬底高温区域的温度，以提高衬底的表面的温度均匀性。衬底上不同区域的温度分布较为均匀，则在衬底上生长的外延材料较为均匀，可以提高最终得到的外延片的出光均匀度。

技术领域

本公开涉及外延生长技术领域，特别涉及一种提高外延片均匀度的外延托盘及其制备方法。

背景技术

外延托盘是金属有机化合物化学气相沉积(英文：Metal-organic ChemicalVapor Deposition，简称：MOCVD)设备的一部分，外延托盘为圆柱体，外延托盘的一端的端面上设置有多个同心的凹槽圈，每个凹槽圈都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽。外延托盘的另一端的端面与MOCVD设备的驱动结构相连。

在制备外延片时，需要将衬底一一对应放在每个圆形凹槽内，衬底被支撑在圆形凹槽的底面上，圆形凹槽底面上的热量经过空气传递至衬底上，以使衬底的温度达到外延生长的要求温度。但在实际生长时，外延托盘以及位于外延托盘的圆形凹槽内的衬底都会高速转动，部分与外延托盘的转动中心距离较远的衬底会有较大的离心力，导致衬底的部分边缘与圆形凹槽的侧壁相接触。并且凹槽圈与凹槽圈之间没有圆形凹槽存在的空白区域所接收到的热量也会传递到圆形凹槽的侧壁，使得圆形凹槽相接触的衬底的部分边缘上生长的外延片的温度会比衬底其他区域生长的外延片的温度高，使得衬底上最终得到的外延片的均匀度较差。

发明内容

本公开实施例提供了一种提高外延片均匀度的外延托盘及其制备方法，能够提高在衬底上生长的外延片的发光均匀度。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种提高外延片均匀度的外延托盘，所述外延托盘为圆柱体，所述外延托盘的一端的端面具有多个同心的凹槽圈，每个所述凹槽圈都包括多个沿所述外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽，每个所述圆形凹槽的侧壁均具有多个衬底支撑凸起，所述多个衬底支撑凸起沿所述圆形凹槽的周向均匀分布，

所述圆形凹槽的底面均具有调整凸起与调整槽，所述调整凸起的高度小于所述衬底支撑凸起的高度，以所述圆形凹槽所在的所述凹槽圈的圆心连线为切割圆，所述圆形凹槽包括被所述切割圆划分的靠近所述外延托盘的圆心的第一部分与远离所述外延托盘的圆心的第二部分，所述调整凸起的重心及所述调整槽的重心均分布在所述第二部分，

以所述外延托盘的经过所述圆形凹槽的圆心的直径为参考直径，所述调整凸起与所述调整槽分布在所述参考直径的两侧，且所述调整凸起与所述调整槽均与所述圆形凹槽的侧壁相接。

可选地，所述调整凸起与所述参考直径之间的所述圆形凹槽的侧壁对应的圆心角为20～50度。

可选地，所述调整槽与所述参考直径之间的所述圆形凹槽的侧壁对应的圆心角为90～150度。

可选地，与所述调整凸起相接的所述圆形凹槽的侧壁对应的圆心角为60～90°，与所述调整槽相接的所述圆形凹槽的侧壁对应的圆心角为30～90°。

可选地，由所述调整凸起指向所述圆形凹槽的圆心的方向上，所述调整凸起的高度减小，由所述调整槽指向所述圆形凹槽的圆心的方向上，所述调整槽的深度减小。

可选地，所述调整凸起的高度与所述调整槽的深度之比为1:2～4:1。

可选地，所述调整凸起的高度为20～60μm，所述调整槽的深度为15～40μm。

可选地，所述调整凸起的表面的致密度高于所述圆形凹槽的底面的致密度。