[发明专利]移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置有效
申请号: | 202110671295.5 | 申请日: | 2021-06-17 |
公开(公告)号: | CN113327537B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 任锦宇;陆顺沙;彭宽军;张方振;王锦谦;王玮;马国靖;王丹 | 申请(专利权)人: | 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 栅极 驱动 电路 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:输入子电路、输出子电路、下拉控制子电路、下拉子电路、第一降噪子电路、第一辅助控制子电路和第二辅助控制子电路;其中,
所述输入子电路,被配置为在输入信号控制下,并通过所述输入信号对上拉节点进行充电;其中,所述上拉节点为所述输入子电路、所述输出子电路、所述第一降噪子电路、所述第一辅助控制子电路、所述下拉子电路之间的连接节点;
所述输出子电路,被配置为在所述上拉节点电位的控制下,通过时钟信号上拉信号输出端的输出;
所述下拉控制子电路,被配置为在第一电源电压的控制下,并通过所述第一电源电压控制下拉节点的电位;所述下拉节点为所述下拉控制子电路、所述下拉子电路和所述第一降噪子电路之间的连接节点;
所述下拉子电路,被配置为在所述上拉节点电位的控制下,通过第一非工作电平信号下拉所述下拉节点的电位;
所述第一辅助控制子电路,被配置为在所述下拉节点为第一非工作电平时,将第二非工作电平写入控制节点,并控制所述第一降噪子电路关断;其中,所述控制节点为所述第一降噪子电路、第一辅助控制子电路和第二辅助控制子电路之间的连接节点;
所述第二辅助控制子电路,被配置为在所述下拉节点的电位为第一电源电压时,将所述第一非工作电平写入控制节点,以控制所述第一降噪子电路通过所述非第一工作电平对所述上拉节点进行降噪。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述移位寄存器还包括:复位子电路,被配置为在复位信号的控制下,通过所述第二非工作电平对所述上拉节点进行复位。
3.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,所述复位子电路包括:第二晶体管;其中,
所述第二晶体管的第一极连接所述上拉节点,第二极连接第一非工作电平端,控制极连接复位信号端。
4.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述移位寄存器还包括:第二降噪子电路,被配置为在所述下拉节点的电位为所述第一电源电压时,通过所述第二非工作电平对所述信号输出端进行降噪。
5.根据权利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,所述第二降噪子电路包括:第四晶体管;其中,
所述第四晶体管的第一极连接所述信号输出端,第二极连接所述第二非工作电平端,控制极连接所述下拉节点。
6.根据权利要求1中所述的移位寄存器,其特征在于,所述输入子电路包括:第一晶体管;其中,
所述第一晶体管的第一极和控制极均连接信号输入端,第二极连接所述上拉节点。
7.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述输出子电路包括,第三晶体管和存储电容;其中,
所述第三晶体管的第一极连接时钟信号端,第二极连接所述信号输出端以及所述存储电容的第二端,控制极连接所述存储电容的第一端和所述上拉节点。
8.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述下拉控制子电路包括,第五晶体管;其中,
所述第五晶体管的第一极和控制极连接所述第一电源电压端,第二极连接所述下拉节点。
9.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述下拉子电路包括,第六晶体管和第七晶体管,其中:
所述第七晶体管第一极连接所述下拉节点,第二极连接所述第二非工作电平端,控制极连接所述上拉节点;
所述第六晶体管第一极连接所述下拉节点,第二极连接所述第二非工作电平端,控制极连接所述上拉节点。
10.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一降噪子电路包括第八晶体管,其中:
所述第八晶体管第一极连接所述上拉节点,第二极连接所述控制节点,控制极连接所述下拉节点。
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