[发明专利]移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置

说明书

本公开提供一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置，属于显示技术领域。本公开的移位寄存器中包括第一辅助控制子电路和第二辅助控制子电路，第一辅助控制子电路用于在上拉节点为高电平时，将第一低电平写入下拉节点，将第二低电平写入控制节点，从而通过控制第一低电平和第二低电平的电压差，控制第一降噪子电路的工作状态，进而避免第一降噪子电路漏电而影响上拉节点的电位。其中，上拉节点是输入子电路、输出子电路、下拉子电路、第一降噪子电路、第一辅助控制子电路和复位子电路的连接节点；控制节点是第一降噪子电路、第一辅助控制子电路和第二辅助控制子电路的连接节点。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示装置)实现一帧画面显示的基本原理是通过栅极(gate)驱动从上到下依次对每一行像素输入一定宽度的方波进行选通，再通过源极(source)驱动每一行像素所需的信号依次从上往下输出。

目前现有显示器件的制造采用GOA(Gate Drive On Array)电路的设计，相比传统的COF(Chip On Film，覆晶薄膜)或COG(Chip On Glass，芯片直接固定在玻璃上)工艺，其不仅节约了成本，而且可以做到面板两边对称的美观设计，同时也可省去栅极驱动电路的Bonding(压焊)区域以及外围布线空间，从而实现了显示装置窄边框的设计，提高了显示装置的产能和良率。GOA电路中所用的薄膜晶体管其有源层材料可选用a-Si(非晶硅)、LTPS(低温多晶硅)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓锌)等。大尺寸显示屏通常选用有源层材料为IGZO的薄膜晶体管作为GOA电路中的薄膜晶体管，但当显示器尺寸以及分辨率进一步增大时，需要选用具有更高迁移率的氧化物材料薄膜晶体管应用于GOA电路。

发明人发现，当选用更高迁移率的薄膜晶体管时，薄膜晶体管的阈值电压不稳定，易发生负偏波动，造成薄膜晶体管产生漏电流，而影响GOA电路的工作性能，故提供一款稳定性较优的GOA电路是亟需要解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种移位寄存器，包括：输入子电路、输出子电路、下拉控制子电路、下拉子电路、第一降噪子电路、第一辅助控制子电路和第二辅助控制子电路；其中，

所述输入子电路，被配置为在输入信号控制下，并通过所述输入信号对上拉节点进行充电；其中，所述上拉节点为所述输入子电路、所述输出子电路、所述第一降噪子电路、所述第一辅助控制子电路、所述下拉子电路之间的连接节点；

所述输出子电路，被配置为在所述上拉节点电位的控制下，通过时钟信号上拉信号输出端的输出；

所述下拉控制子电路，被配置为在第一电源电压的控制下，并通过所述第一电源电压控制下拉节点的电位；所述下拉节点为所述下拉控制子电路、所述下拉子电路和所述第一降噪子电路之间的连接节点；

所述下拉子电路，被配置为在所述上拉节点电位的控制下，通过所述第一非工作电平信号下拉所述下拉节点的电位；

所述第一辅助控制子电路，被配置为在所述下拉节点为第一非工作电平时，将第二非工作电平写入控制节点，并控制所述第一降噪子电路关断；其中，所述控制节点为所述第一降噪子电路、所述第一辅助控制子电路和所述第二辅助控制子电路之间的连接节点；

所述第二辅助控制子电路，被配置为在所述下拉节点的电位为第一电源电压时，将所述第一非工作电平写入控制节点，以控制所述第一降噪子电路通过所述非第一工作电平对所述上拉节点进行降噪。