[发明专利]三维半导体存储器装置

权利要求书

1.一种三维半导体存储器装置，包括：

外围电路结构；

单元阵列结构，其位于所述外围电路结构上方；以及

外围接触过孔结构，其将所述单元阵列结构连接到所述外围电路结构，所述外围接触过孔结构包括：

第一外围接触过孔结构，其位于所述外围电路结构中的第一贯通区域中；以及

第二外围接触过孔结构，其位于所述外围电路结构中的第二贯通区域中，所述第二贯通区域在所述外围电路结构上方与所述第一贯通区域间隔开，并且所述第二外围接触过孔结构的第二临界尺寸与所述第一外围接触过孔结构的第一临界尺寸之间的差根据包括在所述第二贯通区域和所述第一贯通区域中的材料层被不同地配置。

2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，由所述第二外围接触过孔结构的所述第二临界尺寸与所述第一外围接触过孔结构的所述第一临界尺寸之间的所述差限定的偏斜参照所述第一临界尺寸或所述第二临界尺寸被调整为10％或更小。

3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中：

所述第一临界尺寸包括所述第一外围接触过孔结构的底部的第一底部临界尺寸、所述第一外围接触过孔结构的中间部分的第一中间临界尺寸、以及所述第一外围接触过孔结构的顶部的第一顶部临界尺寸，

所述第二临界尺寸包括所述第二外围接触过孔结构的底部的第二底部临界尺寸、所述第二外围接触过孔结构的中间部分的第二中间临界尺寸、以及所述第二外围接触过孔结构的顶部的第二顶部临界尺寸，并且

所述第二外围接触过孔结构的所述第二临界尺寸与所述第一外围接触过孔结构的所述第一临界尺寸之间的所述差由所述第二顶部临界尺寸与所述第一顶部临界尺寸之间的差限定。

4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第二外围接触过孔结构在所述第二外围接触过孔结构的所述中间部分中包括弯曲部分，所述第二中间临界尺寸大于所述第二顶部临界尺寸。

5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中：

所述第一贯通区域包括模制结构和在所述模制结构上方的第一上绝缘层，所述模制结构包括堆叠在一起的多个层间绝缘层和多个模制绝缘层，并且

所述第二贯通区域包括第二上绝缘层，所述第二贯通区域的总厚度与所述第一贯通区域的总厚度相同。

6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中：

所述第一贯通区域包括具有多个层间绝缘层和多个模制绝缘层的模制结构，并且

所述第二贯通区域包括绝缘层，并且具有与所述第一贯通区域的总厚度相同的总厚度。

7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中：

所述单元阵列结构包括单元阵列区域、与所述单元阵列区域电连接的延伸区域、以及位于所述延伸区域的一侧的外围区域，

所述第一贯通区域位于所述延伸区域中，并且

所述第二贯通区域位于所述外围区域中。

8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中：

所述单元阵列结构包括单元阵列区域、与所述单元阵列区域电连接的延伸区域、以及位于所述延伸区域的一侧的外围区域，

所述第一贯通区域位于所述延伸区域中，并且

所述第二贯通区域位于所述单元阵列区域中。

9.根据权利要求8所述的三维半导体存储器装置，其中，所述延伸区域包括：台阶型结构，所述台阶型结构的宽度随着远离所述外围电路结构而减小；以及平坦结构，所述平坦结构在所述外围电路结构上方具有相同的宽度。