[发明专利]芯片烘烤固化方法及芯片装片方法

权利要求书

1.一种芯片烘烤固化方法，其特征在于，利用具有充氮阀及排风机的烘箱来烘烤芯片并固化芯片上的胶水，所述芯片烘烤固化方法包括：

在加热挥发段，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至第一温度，并使所述烘箱在第一时长内保持所述第一温度，其中，在所述加热挥发段，开启所述排风机及所述充氮阀；

在加热固化段，关闭所述排风机，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至第二温度，并使所述烘箱在第二时长内保持所述第二温度，其中，第二温度为预设的胶水固化温度，第二时长为所述胶水在所述第二温度下固化所需的时间；

在冷却降温段，冷却所述烘箱。

2.根据权利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第一温度的范围为95℃-105℃。

3.根据权利要求1或2所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至第一温度所需的时间为10min-15min。

4.根据权利要求1或2所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第一时长为35min-45min。

5.根据权利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述充氮阀的充氮流量为60L/MIN-80L/MIN。

6.根据权利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述加热固化段包括第一恒温区间、升温区间和第二恒温区间；在所述第一恒温区间，关闭所述排风机并使所述烘箱保持所述第一温度；在所述升温区间，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至所述第二温度，所述升温区间的时长为30min-40min；在所述第二恒温区间，使所述烘箱保持所述第二温度。

7.根据权利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述冷却所述烘箱包括：冷却所述烘箱，使所述烘箱内温度降低至第三温度；开启所述排风机，冷却所述烘箱，使所述烘箱内温度降低至第四温度。

8.根据权利要求7所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第三温度的范围为80℃-120℃。

9.根据权利要求7所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第四温度的范围为80℃-85℃。

10.一种芯片装片方法，其特征在于，所述芯片装片方法包括：

利用胶水将芯片贴附于框架上；

采用如权利要求1-9中任一项所述的芯片烘烤固化方法烘烤所述芯片，使所述胶水固化。