[发明专利]芯片烘烤固化方法及芯片装片方法

说明书

本发明涉及半导体封测技术领域，公开了一种芯片烘烤固化方法及芯片装片方法。所述芯片烘烤固化方法利用具有充氮阀及排风机的烘箱来烘烤芯片并固化芯片上的胶水，包括：在加热挥发段，加热烘箱，使烘箱温度升至第一温度，并使烘箱在第一时长内保持所述第一温度，其中，在加热挥发段，开启排风机及充氮阀；在加热固化段，关闭排风机，加热烘箱，使烘箱温度升至第二温度，并使烘箱在第二时长内保持第二温度；在冷却降温段，冷却烘箱。本发明提供的芯片烘烤固化方法及芯片装片方法可烘烤并固化芯片上的胶水，能够及时排除烘箱内的胶水挥发物，避免挥发物沉积附着于芯片产品表面，确保芯片产品烘烤固化效果及芯片产品质量。

技术领域

本发明涉及半导体封测技术领域，尤其涉及一种芯片烘烤固化方法及芯片装片方法。

背景技术

半导体封测主要包括以下工序：减薄、划片、装片、键合、塑封和切筋成型等。其中，装片工序包括点胶、贴芯片及烘烤固化步骤。

烘烤固化用于除去胶水中的稀释剂等成分，烘烤固化的效果直接影响产品焊线质量、产品分层及产品使用寿命等。

现有技术中，烘烤固化多在烘箱中进行，进行烘烤固化时，只考虑到了胶水固化，而未考虑挥发物对产品质量的影响。胶水经烘烤后产生的挥发物无法从烘箱中排出，留存于烘箱内的挥发物容易沉积附着于芯片产品表面，对芯片产品造成污染，影响芯片产品的品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片烘烤固化方法及芯片装片方法，通过优化芯片烘烤固化流程，可提高芯片烘烤固化效果及芯片产品质量。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供了一种芯片烘烤固化方法，利用具有充氮阀及排风机的烘箱来烘烤芯片并固化芯片上的胶水，所述芯片烘烤固化方法包括：

在加热挥发段，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至第一温度，并使所述烘箱在第一时长内保持所述第一温度，其中，在所述加热挥发段，开启所述排风机及所述充氮阀；

在加热固化段，关闭所述排风机，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至第二温度，并使所述烘箱在第二时长内保持所述第二温度，其中，第二温度为预设的胶水固化温度，第二时长为所述胶水在所述第二温度下固化所需的时间；

在冷却降温段，冷却所述烘箱。

在一实施例中，所述第一温度的范围为95℃-105℃。

在一实施例中，加热所述烘箱使所述烘箱温度升至第一温度所需的时间为10min-15min。

在一实施例中，所述第一时长为35min-45min。

在一实施例中，所述充氮阀的充氮流量为60L/MIN-80L/MIN。

在一实施例中，所述加热固化段包括第一恒温区间、升温区间和第二恒温区间；在所述第一恒温区间，关闭所述排风机并使所述烘箱保持所述第一温度；在所述升温区间，加热所述烘箱，使所述烘箱内温度升至所述第二温度，所述升温区间的时长为30min-40min；在所述第二恒温区间，使所述烘箱保持所述第二温度。

在一实施例中，所述冷却所述烘箱包括：冷却所述烘箱，使所述烘箱内温度降低至第三温度；开启所述排风机，冷却所述烘箱，使所述烘箱内温度降低至第四温度。

在一实施例中，所述第三温度的范围为80℃-120℃。

在一实施例中，所述第四温度的范围为80℃-85℃。