[发明专利]膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法及存储介质

说明书

本发明涉及膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法以及存储介质。能够抑制从大型基板切出的基板的膜厚的测定精度降低。膜厚测定装置具备：基板支承构件，所述基板支承构件对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承；测定构件，所述测定构件对在支承于基板支承构件的基板上形成的膜的膜厚进行光学测定；以及控制构件，所述控制构件控制测定构件。取得构件取得与支承于基板支承构件的基板在分割前的大型基板中的部位相关的基板信息。控制构件基于取得构件取得的基板信息，决定测定构件的测定条件。

技术领域

本发明涉及膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法以及存储介质。

背景技术

有机EL显示器等的制造工序包括在基板上形成膜的成膜工序。而且，为了对在成膜工序中形成的膜的膜厚进行确认，有时利用光学方法测定在基板上形成的膜的膜厚(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2012-502177号公报

发明要解决的课题

有机EL显示器通过利用各种成膜工序在基板上形成多层来制造。此时，根据生产线的情况，有时在某工序之前对大型基板(也称为母玻璃)进行处理，之后将该大型基板切断而分割为多个更小的基板，在其后的工序中对分割后的基板进行成膜等处理。例如，在智能手机用的有机EL显示器的制造中，背板工序(TFT形成工序、阳极形成工序等)对第六代的大型基板(约1500mm×约1850mm)进行成膜处理等。之后，将该大型基板切断成一半，做成第六代的半切割基板(约1500mm×约925mm)，之后的工序对该第六代的半切割基板进行成膜等处理。

在该情况下，在进行在分割工序之后的成膜工序中形成的膜的膜厚测定的情况下，对切出部位不同的基板依次进行膜厚测定。但是，在从大型基板切出的基板中，根据从大型基板的哪个部位切出(例如，根据母玻璃的左侧一半的部分或右侧一半的部分)，有时尺寸、刚性分布这样的基板的特性不同。如果基板的特性不同，则基板的挠曲方式、起伏方式也不同，有时基板相对于膜厚的测定设备的距离、倾斜等位置关系根据基板的特性而变化。其结果是，膜厚测定时的测定条件改变，有时会对测定精度带来影响。

发明内容

本发明提供一种抑制从大型基板切出的基板的膜厚的测定精度降低的技术。

用于解决课题的方案

根据本发明的一方案，提供一种膜厚测定装置，所述膜厚测定装置具备：

基板支承构件，所述基板支承构件对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承；

测定构件，所述测定构件对在支承于所述基板支承构件的所述基板上形成的膜的膜厚进行光学测定；以及

控制构件，所述控制构件控制所述测定构件，

其特征在于，

所述膜厚测定装置具备取得构件，所述取得构件取得与支承于所述基板支承构件的基板在分割前的所述大型基板中的部位相关的基板信息，

所述控制构件基于所述取得构件取得的所述基板信息，决定所述测定构件的测定条件。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种膜厚测定装置，所述膜厚测定装置具备：

基板支承构件，所述基板支承构件对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承；

测定构件，所述测定构件对在支承于所述基板支承构件的所述基板上形成的膜的膜厚进行光学测定；以及

控制构件，所述控制构件控制所述测定构件，

其特征在于，