[发明专利]一种改进的前馈共栅跨阻放大器模块

权利要求书

1.一种改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：包括：电压源(V_DD)、第一有源电感单元、第二有源电感单元、压降电阻(R_V)、第一晶体管(M₁)、第二晶体管(M₂)、第三晶体管(M₃)、第四晶体管(M₄)、外部偏压(vb)、电流信号输入端(IN)和电压信号输出端(O)；

所述电压源(V_DD)分别与所述第一有源电感单元的输入端和所述第二有源电感单元的输入端连接；

所述电压源(V_DD)还通过所述压降电阻(R_V)分别与所述第二晶体管(M₂)的漏极和所述第三晶体管(M₃)的栅极连接；

所述第一有源电感单元的输出端和所述第一晶体管(M₁)的漏极均与所述电压信号输出端(O)连接；

所述第一晶体管(M₁)的源极、所述第二晶体管(M₂)的源极和所述第四晶体管(M₄)的漏极均与所述电流信号输入端(IN)连接；

所述第一晶体管(M₁)的栅极和所述第二有源电感单元的输出端均与所述第三晶体管(M₃)的漏极连接；

所述第二晶体管(M₂)的栅极和所述第四晶体管(M₄)的栅极均与所述外部偏压(vb)连接；

所述第三晶体管(M₃)的源极和所述第四晶体管(M₄)的源极均接地。

2.根据权利要求1所述的改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：所述第一有源电感单元和所述第二有源电感单元均包括单元内电阻和单元内晶体管；

所述第一有源电感单元的输入端和所述第二有源电感单元的输入端均通过所述单元内电阻连接所述单元内晶体管的栅极；

所述第一有源电感单元的输入端和所述第二有源电感单元的输入端还均连接所述单元内晶体管的漏极；

所述第一有源电感单元的输出端和所述第二有源电感单元的输出端均连接所述单元内晶体管的源极。

3.根据权利要求2所述的改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：所述单元内电阻为可调电阻。

4.根据权利要求2所述的改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：所述单元内晶体管为NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：所述第二晶体管(M₂)和所述第四晶体管(M₄)均工作在饱和区；

所述第二晶体管(M₂)的漏极源极电压大于所述第二晶体管(M₂)的栅极源极电压与所述第二晶体管(M₂)的阈值电压的差值；

所述第四晶体管(M₄)的漏极源极电压大于所述第四晶体管(M₄)的栅极源极电压与所述第四晶体管(M₄)的阈值电压的差值。

6.根据权利要求5所述的改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：所述第二晶体管(M₂)的漏极源极电压等于所述第三晶体管(M₃)的栅极电压与所述电流信号输入端(IN)的电压的差值，所述第二晶体管(M₂)的栅极源极电压等于所述外部偏压(vb)与所述电流信号输入端(IN)的电压的差值；

所述第四晶体管(M₄)的漏极源极电压等于所述电流信号输入端(IN)的电压，所述第四晶体管(M₄)的栅极源极电压等于外部偏压(vb)。

7.根据权利要求6所述的改进的前馈共栅跨阻放大器模块，其特征在于：所述外部偏压(vb)小于所述第三晶体管(M₃)的栅极电压。