[发明专利]一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路在审
申请号: | 202110678585.2 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113725835A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 王力;吴建超;石俊彪;张旭东;冯悦;张宇;陈广军 | 申请(专利权)人: | 北京卫星制造厂有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 刘秀祥 |
地址: | 100190*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 航天器 开关 控制 通路 浪涌 电流 抑制 电路 | ||
1.一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,其特征在于,包括:功率开关K1、并联支路、功率开关驱动电路、继电器驱动电路;
并联支路采用电阻和继电器开关K2串联,并联支路两端与功率开关K1两端并联;
功率开关驱动电路分为三个子电路;第一个子电路为MOS管驱动电路,包括P型MOS管、MOS管gs极上拉电阻、MOS管gs极下拉电阻、MOS管g极限流电阻;二次母线正端Vin+与MOS管s极相连,MOS管d极通过功率开关K1限流电阻与功率开关K1线包正端相连;MOS管gs极上拉电阻与MOS管gs极下拉电阻形成分压来提供MOS管的栅源电压;g极限流电阻的一端与MOS管的g极连接,另一端连接在MOS管gs极上拉电阻和MOS管gs极下拉电阻之间;
功率开关驱动电路的第二个子电路为三极管延时电路,包括三极管、三极管B极上拉电阻、三极管B极下拉电阻、三极管B极限流电阻、延时电容;三极管C极与MOS管g极通过MOS管gs极下拉电阻相连,三极管E级与驱动信号端相连,三极管B极串联三极管B极限流电阻后连接至三极管B极下拉电阻,三极管B极下拉电阻与驱动信号端之间并联延时电容;三极管B极上拉电阻与二次母线正端相连,三极管B极上拉电阻和三极管B极下拉电阻形成分压为三极管B极提供基极驱动电压;
功率开关驱动电路的第三个子电路,位于MOS管d极与二次母线负端Vin-之间,包括串联连接的功率开关K1线包、功率开关K1限流电阻、功率开关K1抗扰二极管;还包括与该串联部分并联的功率开关K1保护电路;
继电器驱动电路位于二次母线正端与驱动信号端之间,包括串联连接的继电器开关K2线包、继电器开关K2限流电阻、继电器开关K2抗扰二极管;还包括与该串联部分并联的继电器开关K2保护电路。
2.根据权利要求1所述的航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,其特征在于,当驱动信号为闭合指令时,继电器开关K2先于功率开关K1闭合;当驱动信号为关断指令时,继电器开关K2先于功率开关K1断开,其中驱动信号低电平有效。
3.根据权利要求1所述的航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,其特征在于,功率开关K1的置位线圈与复位线圈绕制在同一磁芯上,功率开关K1的置位线圈或复位线圈断电瞬间在复位线圈或置位线圈上产生互感应电动势,功率开关K1抗扰二极管用于防止功率开关K1线圈的互感电动势形成潜通路;继电器开关K2的置位线圈与复位线圈绕制在同一磁芯上,继电器开关K2的置位线圈或复位线圈断电瞬间在复位线圈或置位线圈上产生互感应电动势,继电器开关K2抗扰二极管用于防止继电器开关K2线圈的互感电动势形成潜通路。
4.根据权利要求1所述的航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,其特征在于,功率开关K1保护电路采用两只二极管串联;继电器开关K2保护电路采用两只二极管串联。
5.根据权利要求1所述的航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,其特征在于,功率开关K1触点额定电流远大于继电器开关K2触点额定电流。
6.根据权利要求1所述的航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,其特征在于,功率开关K1限流电阻用于防止功率开关K1的线圈短路。
7.一种航天器开关,其特征在于,包括开关本身,以及权利要求1至6之一所述的航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,用于抑制开关的浪涌电流。
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