[发明专利]一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路在审
申请号: | 202110678585.2 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113725835A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 王力;吴建超;石俊彪;张旭东;冯悦;张宇;陈广军 | 申请(专利权)人: | 北京卫星制造厂有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 刘秀祥 |
地址: | 100190*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 航天器 开关 控制 通路 浪涌 电流 抑制 电路 | ||
一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,并联支路由电阻和继电器触点串联,并联支路两端与功率开关K1触点两端并联。继电器驱动电路位于功率开关驱动电路的前端,二次母线正端通过限流电阻与继电器开关K2线圈正端相连,继电器开关K2线圈负端直接与驱动信号端相连。功率开关驱动电路采用MOS管驱动电路进行通断控制,采用三极管延时电路进行延时控制,二次母线正端与MOS管s极相连,MOS管d极通过功率开关K1限流电阻与功率开关K1线圈正端相连,功率开关K1线圈负端直接与二次母线负端相连。当驱动信号为闭合指令时,继电器触点先于功率开关触点闭合;当驱动信号为关断指令时,继电器触点先于功率开关触点断开。
技术领域
本发明涉及一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,尤其涉及一种开关动作瞬间,常规浪涌抑制电路未工作时的浪涌抑制电路,属于大功率配电领域。
背景技术
空间站总体电路分系统设备众多,设备开关机大多采用机械开关切换控制。部分设备有自己单独的开关控制,部分设备共用一个开关进行控制。由于设备中设计有EMI滤波电容以及通路中存在的寄生电容,且设备一次母线回线和机壳在整星阶段处于短接状态,导致在机械开关闭合瞬间,设备内部的固有浪涌抑制电路被旁路起不到应有作用,设备中电容形成瞬时充电回路,电容近似短路,产生短时但幅值很大的浪涌电流。多个设备共用一个开关时,由于多个设备同时加电,浪涌电流还会产生叠加效应,进一步推高浪涌电流幅值。
在航天器系统中,机械开关闭合瞬间产生的浪涌电流危害巨大:1)影响一次母线稳定,母线电压会产生瞬时跌落;2)可能会导致功率通路开关触点粘连失效;3)可能对设备熔断器造成损伤等。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供了一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,目的是解决机械开关闭合瞬间,在常规浪涌抑制电路未开始工作时,在母线上产生的短时但幅值较大的浪涌电流。
本发明目的通过以下技术方案予以实现:
本发明实施例提供一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路,包括:功率开关K1、并联支路、功率开关驱动电路、继电器驱动电路;
并联支路采用电阻和继电器开关K2串联,并联支路两端与功率开关K1两端并联;
功率开关驱动电路分为三个子电路;第一个子电路为MOS管驱动电路,包括P型MOS管、MOS管gs极上拉电阻、MOS管gs极下拉电阻、MOS管g极限流电阻;二次母线正端Vin+与MOS管s极相连,MOS管d极通过功率开关K1限流电阻与功率开关K1线包正端相连;MOS管gs极上拉电阻与MOS管gs极下拉电阻形成分压来提供MOS管的栅源电压;g极限流电阻的一端与MOS管的g极连接,另一端连接在MOS管gs极上拉电阻和MOS管gs极下拉电阻之间;
功率开关驱动电路的第二个子电路为三极管延时电路,包括三极管、三极管B极上拉电阻、三极管B极下拉电阻、三极管B极限流电阻、延时电容;三极管C极与MOS管g极通过MOS管gs极下拉电阻相连,三极管E级与驱动信号端相连,三极管B极串联三极管B极限流电阻后连接至三极管B极下拉电阻,三极管B极下拉电阻与驱动信号端之间并联延时电容;三极管B极上拉电阻与二次母线正端相连,三极管B极上拉电阻和三极管B极下拉电阻形成分压为三极管B极提供基极驱动电压;
功率开关驱动电路的第三个子电路,位于MOS管d极与二次母线负端Vin-之间,包括串联连接的功率开关K1线包、功率开关K1限流电阻、功率开关K1抗扰二极管;还包括与该串联部分并联的功率开关K1保护电路;
继电器驱动电路位于二次母线正端与驱动信号端之间,包括串联连接的继电器开关K2线包、继电器开关K2限流电阻、继电器开关K2抗扰二极管;还包括与该串联部分并联的继电器开关K2保护电路。
本发明一实施例中,当驱动信号为闭合指令时,继电器开关K2先于功率开关K1闭合;当驱动信号为关断指令时,继电器开关K2先于功率开关K1断开,其中驱动信号低电平有效。
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