[发明专利]用于研磨定盘沟槽的清理方法、装置、设备及计算机存储介质在审
申请号: | 202110680277.3 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113400196A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 张帅;黄兆皓;周雷雷;刘永亮;李昊 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司 |
主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017;B08B7/00;B08B3/02;B02C19/00 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 沈寒酉;王渝 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 研磨 沟槽 清理 方法 装置 设备 计算机 存储 介质 | ||
1.一种用于研磨定盘沟槽的清理方法,其特征在于,所述方法包括:
根据采集的所述研磨定盘的图像,确定待粉碎的结合物在所述图像上的像素位置;
根据所述待粉碎的结合物的像素位置,映射得到所述待粉碎的结合物在所述沟槽中的实际位置;
控制微型钻头移动至所述待粉碎的结合物的实际位置处并粉碎所述待粉碎的结合物;
对粉碎处理后的产物进行冲洗以使得所述产物排出所述研磨定盘的沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据采集的所述研磨定盘的图像,确定待粉碎的结合物在所述图像上的像素位置,包括:
基于所述图像,设置由所述研磨定盘的像素中心引出的一条射线作为像素极轴QW,并获取所述待粉碎的结合物在所述图像上的像素偏离所述像素极轴QW的像素角度θ;
连接所述待粉碎的结合物在所述图像上的像素与所述研磨定盘的像素中心以获得线段QB,并获取所述线段QB的像素长度lOB;
基于所述线段QB的像素长度lOB,确定所述待粉碎结合物与所述研磨定盘中心之间的像素距离l;
利用所述像素距离l以及所述像素角度θ表征所述待粉碎的结合物在所述图像上的像素位置。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述待粉碎的结合物的像素位置,映射得到所述待粉碎的结合物在所述沟槽中的实际位置,包括:
根据所述研磨定盘外沿的像素尺寸以及所述研磨定盘外沿的实际尺寸,获取所述像素尺寸与所述实际尺寸之间的比例关系K;
根据所述待粉碎的结合物的像素位置以及所述比例关系K,映射得到所述待粉碎的结合物的实际位置。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述研磨定盘外沿的像素尺寸以及所述研磨定盘外沿的实际尺寸,获取所述像素尺寸与所述实际尺寸之间的比例关系K,包括:
获取所述研磨定盘外沿的实际直径D;
基于所述研磨定盘的图像,获取所述研磨定盘外沿的像素直径d;
通过所述像素直径d以及所述实际直径D计算获得所述像素尺寸与所述实际尺寸之间的比例关系K=D/d。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述待粉碎的结合物的像素位置以及所述比例关系K,映射得到所述待粉碎的结合物的实际位置,包括:
根据所述图像上的所述像素极轴QW,确定所述研磨定盘上与所述像素极轴相对应的实际极轴MN;
根据所述像素角度θ以及所述像素极轴QW,确定所述待粉碎的结合物偏离所述实际极轴MN的实际角度α;
根据所述像素距离l以及所述比例关系K,确定所述待粉碎的结合物与所述研磨定盘中心之间的实际距离L=K×l;
利用所述实际距离L以及所述实际角度α表征所述待粉碎的结合物的在沟槽中的实际位置。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述待粉碎的结合物全部清理完成后,控制所述CCD相机以及所述微型钻头移动至所述研磨定盘外侧。
7.一种用于研磨定盘沟槽的清理装置,其特征在于,所述装置包括确定部分,映射部分,粉碎部分以及冲洗部分;其中,
所述确定部分,经配置为根据采集的所述研磨定盘的图像,确定待粉碎的结合物在所述图像上的像素位置;
所述映射部分,经配置为根据所述待粉碎的结合物的像素位置,映射得到所述待粉碎的结合物在所述沟槽中的实际位置;
所述粉碎部分,经配置为控制微型钻头移动至所述待粉碎的结合物的实际位置处并粉碎所述待粉碎的结合物;
所述冲洗部分,经配置为对粉碎处理后的产物进行冲洗以使得所述产物排出所述研磨定盘的沟槽。
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