[发明专利]一种探测基板、探测装置

权利要求书

1.一种探测基板，其特征在于，包括：阵列排布的多个探测像素单元；

所述探测像素单元包括：晶体管、光电转换部、光放大部、闪烁体层和第一电极；

其中，所述光放大部位于所述光电转换部和所述闪烁体层之间，所述光电转换部和所述晶体管电连接；所述第一电极位于所述光电转换部和所述光放大部之间，且所述第一电极被配置为至少向所述光放大部提供电压信号；

所述光放大部包括层叠设置的第一光栅层、有源层和第二光栅层，所述第二光栅层位于所述有源层靠近所述闪烁体层的一侧；其中，所述第一光栅层、所述有源层和所述第二光栅层均分别包括层叠设置的多个子层，且每相邻两个所述子层的折射率不同；

所述第一光栅层的多个子层分为第一组和第二组；同一组所述第一光栅层的多个子层的折射率相同；其中，第一组所述第一光栅层的多个子层中的每一个子层均称为第一折射层，第二组所述第一光栅层的多个子层中的每一个子层均称为第二折射层；所述第一折射层和所述第二折射层沿垂直于所述闪烁体层的方向间隔设置；

所述有源层和所述第一折射层相接触，所述第一电极和所述第二折射层相接触；其中，所述第一折射层的折射率大于所述第二折射层的折射率；

所述第二光栅层的多个子层也分为第一组和第二组，同一组所述第二光栅层的多个子层的折射率也相同；其中，第一组所述第二光栅层的多个子层中的每一个子层均称为第三折射层，第二组所述第二光栅层的多个子层中的每一个子层均称为第四折射层；所述第三折射层和所述第四折射层沿垂直于所述闪烁体层的方向间隔设置；

所述有源层和所述第四折射层相接触，且沿垂直于所述有源层的方向到所述闪烁体层距离最小的所述第二光栅层的子层为所述第三折射层；其中，所述第三折射层的折射率小于所述第四折射层的折射率；

所述有源层的多个子层也分为第一组和第二组，第一组所述有源层的多个子层中的每个子层均称为垒层，第二组所述有源层的多个子层中的每个子层均称为阱层；其中，所述垒层和所述阱层沿垂直于所述闪烁体层的方向间隔设置，且分别与所述第一光栅层和所述第二光栅层相接触的所述有源层的子层均为垒层。

2.根据权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括衬底，所述探测像素单元位于所述衬底之上；

其中，所述光电转换部在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影交叠，且所述光放大部在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影以内。

3.根据权利要求2所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括平行于所述闪烁体层且沿第一方向延伸的多条第一信号线；

其中，所述第一电极和所述第一信号线电连接，且所述第一电极被配置为同时向所述光放大部和所述光电转换部提供所述电压信号。

4.根据权利要求3所述的探测基板，其特征在于，所述探测像素单元还包括第二电极和第三电极；

所述第二电极位于所述光放大部远离所述光电转换部的一侧，所述第三电极位于所述光电转换部远离所述光放大部的一侧，所述光电转换部通过所述第三电极与所述晶体管的第一极电连接；

其中，所述光放大部位于所述第一电极和所述第二电极形成的偏置电场中，所述光电转换部位于所述第一电极和所述第三电极形成的偏置电场中。

5.根据权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括沿所述第一方向延伸的多条第二信号线；所述探测像素单元还包括遮光层，所述遮光层位于所述晶体管和所述闪烁体层之间，且所述遮光层在所述闪烁体层上的正投影与所述晶体管在所述闪烁体层上的正投影交叠；

其中，所述遮光层、所述第一信号线和所述第二信号线同层设置，且所述第一信号线和所述遮光层相连，所述第二信号线和所述第二电极电连接。

6.根据权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述光放大部在所述衬底上的正投影交叠，所述光电转换部在所述衬底上的正投影位于所述第三电极在所述衬底上的正投影以内。