[发明专利]一种框架与铜片器件封装设计方法在审
| 申请号： | 202110682635.4 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113628977A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 艾育林;盛天金 | 申请（专利权）人： | 江西万年芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 335500 江西省上*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 框架 铜片 器件 封装 设计 方法 | ||
1.一种框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于，方法步骤为：
（1）制作上leadfram框架：在铜片上设置若干呈矩阵排列、形状为方形的上框架单元，相邻的上框架单元之间设有上框架预留切割道，每个上框架单元四边分别设有4个梯形上框蚀刻区，上框架单元中心区域为上框架芯片贴合区；
（2）制作下leadfram框架：在另一铜片上设置若干呈矩阵排列、形状为方形的下框架单元，相邻的下框架单元之间设有下框架预留切割道，每个下框架单元四边分别设有4个梯形下框蚀刻区，下框架单元中心区域为下框架芯片贴合区，下框架芯片贴合区中部设有下框架半蚀刻区；下leadfram框架的边框上设有若干下框架定位孔；
（3）将芯片贴在上leadfram框架的上框架芯片贴合区，芯片的另一侧用粘合材料贴合在下leadfram框架的下框架芯片贴合区内，贴合过程需控制贴片偏移、旋转角、倾斜度在一定范围内；
（4）整体放进DFN/QFN模具进行塑封。
2.根据权利要求1所述的框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于：所述上leadfram框架和下leadfram框架的框架单元尺寸、预留切割道尺寸、梯形上框蚀刻区尺寸、芯片贴合区尺寸分别相等。
3.根据权利要求1所述的框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于：所述上leadfram框架的外部尺寸为230mm*60mm，厚度为0.1mm，所述下leadfram框架的外部尺寸为258mm*78mm，厚度为0.5mm。
4.根据权利要求1所述的框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于：所述框架单元的尺寸为8mm*8mm，预留切割道宽度为0.3mm。
5.根据权利要求1所述的框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于：所述芯片贴合区尺寸6mm*6mm。
6.根据权利要求1所述的框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于：所述半蚀刻区为长方形，尺寸为5mm*3mm，蚀刻深度为300μm。
7.根据权利要求1所述的框架与铜片器件封装设计方法，其特征在于：所述粘合材料为导电银胶，导电银胶的厚度为40～50μm。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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