[发明专利]用于形成设置有硅的层的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成设置有硅的层的方法，包括：

将衬底定位在处理室内；

将衬底加热到300至500℃之间的第一温度；

将第一前体引入处理室以沉积第一层；

将衬底加热到400至600℃之间的第二温度；以及

将第二前体引入处理室以沉积第二层，其中，所述第一前体和第二前体包括硅原子，并且第一前体比第二前体具有每分子更多的硅原子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体中的分子比所述第二前体具有每分子多至少两倍的硅原子。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体是丙硅烷。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体是乙硅烷。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二前体是硅烷。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层和第二层是非晶的，并且在沉积时包括氢。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一层是非晶的，并且在沉积时包括大于0.05原子％的氢。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层具有1至10纳米的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层具有3至30纳米的厚度。

10.根据权利要求1的方法，其中，在沉积所述第一层和第二层期间的压力在0.01和100托之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底设置有间隙，并且所述第一层和第二层设置在所述间隙的表面上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述间隙具有1至100微米之间的深度和0.01至1微米之间的宽度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述间隙的底部10％中的第一层和第二层的厚度除以所述间隙的顶部10％中的第一层和第二层的厚度在0.7和1.3之间。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

将所述衬底连同多个其它衬底一起设置在晶片舟中，并将该晶片舟装载到立式炉的处理室中；

加热处理室以将衬底加热到所述第一温度；

用泵将处理室抽至0.01至1托之间的压力；以及

将所述第一前体引入处理室，以在衬底上沉积所述第一层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体基本不含碳。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括向所述处理室提供含碳前体。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述含碳前体是烷烃。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述烷烃包括乙烯。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一层和第二层中的至少一个可以掺杂有0.1％至4％的碳。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：

将所述衬底加热到约600℃和1200℃之间的第三温度，以退火所述第一层和第二层，在将所述处理室加热到第三温度之后，第一层和/或第二层包括外延晶粒。

21.一种用于在衬底上形成设置有硅的层的方法，包括：

将衬底定位在处理室内；

将衬底加热到300至600℃之间的第一温度；

将丙硅烷前体引入处理室，以沉积设置有硅的层；以及

将衬底加热到约600℃至1200℃之间的第三温度，以退火设置有硅的层，其中，在将处理室加热到第三温度之后，设置有硅的层包括外延晶粒。