[发明专利]用于形成设置有硅的层的方法

说明书

公开了一种用于形成具有硅的层的方法，该层可以通过以下来形成：将衬底定位在处理室内；将衬底加热到300至500℃之间的第一温度并且将第一前体引入处理室以沉积第一层。可以将衬底加热到400至600℃之间的第二温度；以及可以将第二前体引入处理室以沉积第二层，第一前体和第二前体可以包括硅原子，并且第一前体可以比第二前体具有每分子更多的硅原子。

技术领域

本公开总体涉及用于在衬底上形成设置有硅的层的方法。该层可以在处理室中通过将衬底加热到第一温度并将前体引入处理室以沉积该层来形成。

背景技术

根据本公开的方法可以用于制造集成电路，例如与非器件。在可用于诸如闪存的应用中的3D与非器件的制造过程中，衬底可以设置有包括氮化物层和氧化物层的双层。氮化物层和氧化物层可以经历蚀刻过程以在双层中形成间隙。

间隙的表面可以设置有多层，例如阻挡氧化物、陷阱氮化硅、隧道氧化物和沟道多晶硅层，对于这些层，电特性对于集成电路的功能可能非常关键。因此，可能需要提供一种用于在衬底上形成设置有硅的层以覆盖双层间隙的方法。

发明内容

提供本发明内容是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

根据至少一个实施例，可以公开一种用于在衬底上形成设置有硅的层的示例性方法，包括：将衬底定位在处理室内；将衬底加热到300至500℃之间的第一温度并且将第一前体引入处理室以沉积第一层。该方法可以包括将衬底加热到400至600℃之间的第二温度并且将第二前体引入处理室以沉积第二层。第一前体和第二前体可以包括硅原子，并且第一前体比第二前体可以具有每分子更多的硅原子。

根据另一实施例，可以公开一种用于形成设置有硅的层的示例性方法，包括：将衬底定位在处理室内；将衬底加热到300至600℃之间的第一温度并且将丙硅烷前体引入处理室，以沉积设置有硅的层。该方法可以包括将衬底加热到约600℃至1200℃之间的第三温度，以退火设置有硅的层。在将处理室加热到第三温度之后，该层可以包括外延晶粒。

参考附图，从下面对某些实施例的详细描述中，这些及其他实施例对于本领域技术人员来说将变得显而易见；本发明不限于公开的任何特定实施例。

附图说明

下面参照某些实施例的附图描述本文公开的本发明的这些及其他特征、方面和优点，附图旨在说明而不是限制本发明。

图1是制造过程中的与非器件的截面图。

图2示出了沉积层的氢含量。

图3示出了沉积层中的晶粒形成。

图4示出了在可以应用顶部蚀刻之后沉积在间隙中的层的均匀性。

应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并不一定按比例绘制。例如，图中一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大，以帮助提高对本公开的图示实施例的理解。

具体实施方式

尽管下面公开了某些实施例和示例，但本领域技术人员将理解，本发明超出了本发明的具体公开的实施例和/或用途及其明显的修改和等同物。因此，意图是所公开的本发明的范围不应被下面描述的特定公开实施例限制。

本文给出的图示并不意味着是任何特定材料、结构或器件的实际视图，而仅仅是用于描述本公开的实施例的理想化表示。

在某些情况下，术语“前体”可以指参与产生另一种化合物的化学反应的化合物。特别地，它可以涉及构成膜基质或膜主骨架的化合物。