[发明专利]一种电镀方法

权利要求书

1.一种电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：

在待镀基板上制作图形化导电种子层；

在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分；

在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形；

所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影；包括：所述电镀掩膜图形与所述图形化导电种子层的形状不重合；并且，所述电镀掩膜图形与所述图形化导电种子层的形状不互补；

在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：

在所述待镀基板上沉积导电种子层；在所述导电种子层上制作种子层掩膜图形；刻蚀带有所述种子层掩膜图形的所述导电种子层，暴露出所述待镀基板，在所述待镀基板上被所述种子层掩膜图形覆盖的区域处保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层；或者，

在所述待镀基板上制作种子层掩膜图形；在带有所述种子层掩膜图形的所述待镀基板上沉积导电种子层；去掉所述种子层掩膜图形，暴露出所述待镀基板，在无种子层掩膜图形覆盖的所述待镀基板区域保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。

2.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于：

所述待镀基板上用于制作所述图形化导电种子层的一面包含绝缘材料和半导体材料中的至少之一。

3.根据权利要求2所述的电镀方法，其特征在于：

所述导电种子层的材料包括钯、钛、镍、铜、金和银中的至少之一；或者，包括含有钯、钛、镍、铜、金和银中至少之一的合金材料。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电镀方法，其特征在于，在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形的步骤中：

通过光阻制作或硬质掩膜材料制作的方式制作所述电镀掩膜图形；

其中，所述光阻包括光刻胶和干膜光阻中的至少之一；所述硬质掩膜材料包括硅、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少之一。

5.根据权利要求1-3任一项所述的电镀方法，其特征在于，还包括如下步骤：

去除所述电镀掩膜图形；

去除未被所述加厚金属图形覆盖的图形化导电种子层。

6.根据权利要求5所述的电镀方法，其特征在于，在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形的步骤中：

所述加厚金属图形中，金属线的厚度和宽度之比大于2。