[发明专利]一种电镀方法

说明书

本发明公开了一种电镀方法，包括如下步骤：在待镀基板上制作图形化导电种子层；在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分；在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形。采用本发明提供的上述方案，图形化导电种子层需要加厚的位置上方形成有凹槽图形，在凹槽图形中填充金属形成的金属线与图形化导电种子层直接相连，直接增加了该部分的导电元件的厚度，如此能够在电镀时依据厚度要求精确控制局部镀层厚度能够精确控制局部镀层厚度。

技术领域

本发明涉及电镀工艺技术领域，具体涉及一种精确控制镀层厚度的电镀方法。

背景技术

电镀是电路板制造领域、MEMS制作领域、IC制造领域等常用的传统工艺，通常用于制作金属互联结构，实现元件之间、多层布线电路各层之间的电连接。

由于不同应用领域对电连接线的厚度、高宽比、均一度等参数的要求不同，目前是根据经验，调节待镀基板位置、电镀装置和电镀阳极的尺寸和形状、电镀电流的大小和脉冲周期、药液循环系统等，通过改变镀件外部的电力线分布来调节待镀基板上各区域的电流密度，达到控制镀层厚度的目的。

上述调节方式只能整体调节镀层厚度在各区域的差异，无法精确控制局部线条的镀层厚度，因此无法满足对金属镀层厚度的精度要求比较高的应用场景。

发明内容

本申请实施例旨在提供一种电镀方法，以解决现有技术中电镀工艺无法精确控制局部线条镀层厚度的技术问题。

为解决上述问题，本申请一些实施例中提供一种电镀方法，包括如下步骤：

在待镀基板上制作图形化导电种子层；

在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分；

在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形。

一些实施例提供的所述的电镀方法中，在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：

在所述待镀基板上沉积导电种子层；

在所述导电种子层上制作种子层掩膜图形；

刻蚀带有所述种子层掩膜图形的所述导电种子层，暴露出所述待镀基板，在所述待镀基板上被所述种子层掩膜图形覆盖的区域处保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。

一些实施例提供的所述的电镀方法中，在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：

在所述待镀基板上制作种子层掩膜图形；

在带有所述种子层掩膜图形的所述待镀基板上沉积导电种子层；

去掉所述种子层掩膜图形，暴露出所述待镀基板，在无种子层掩膜图形覆盖的所述待镀基板区域保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。

一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影。

一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影包括：

所述电镀掩膜图形与所述图形化导电种子层的形状不重合；并且，

所述电镀掩膜图形与所述图形化导电种子层的形状不互补。

一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述待镀基板上用于制作所述图形化导电种子层的一面包含绝缘材料和半导体材料中的至少之一。

一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述导电种子层的材料包括钯、钛、镍、铜、金和银中的至少之一；或者，包括含有钯、钛、镍、铜、金和银中至少之一的合金材料。