[发明专利]PECVD双舟系统及其碎片检测方法

说明书

本申请公开了一种PECVD双舟系统及其碎片检测方法。PECVD双舟系统包括反应腔、第一石墨舟和第二石墨舟，反应腔两端分别设有进气口和出气口，第一石墨舟和第二石墨舟设于反应腔内且沿进气口至出气口的方向排列；碎片检测方法包括：对反应腔执行抽真空处理；使气体注入反应腔内，并使反应腔内的压力保持预定压力；在第一石墨舟上施加预定电压；获得第二石墨舟上的电信号，并判断电信号是否大于第一预定值；若是，则确定第一石墨舟和第二石墨舟之间存在碎片。本申请提供的PECVD双舟系统及其碎片检测方法，能够有效检测第一石墨舟和第二石墨舟之间是否存在碎片，从而防止石墨舟内的硅片及舟片产生白色粉尘。

技术领域

本申请涉及真空镀膜技术领域，特别是涉及一种PECVD双舟系统及其碎片检测方法。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法。随着光伏设备技术的发展，降低成本、提高效率的要求越来越高，因此部分光伏行业内的PECVD镀膜设备采用双舟系统。

具有双舟系统的PECVD镀膜设备，其反应腔内有两套石墨舟同时进行工作。然而发明人发现，现场运行一段时间的PECVD镀膜机台，突然会出现某几个反应腔内的石墨舟的硅片及舟片有白色粉尘产生。这对镀膜工艺的影响很大，不仅造成硅片的批量不良，还同时会污染石墨舟本身。被污染的石墨舟，将无法再次循环使用，必须经过酸洗、饱和舟工艺(耗时2-3小时)后，方可再次使用，导致人力物力的浪费。

不仅如此，通过统计发现，该异常的发生没有规律，多台机不定时地会爆发同样的异常，且一旦异常发生，此后的工艺就都会持续存在该异常，如此又会进一步扩大异常导致的不良品数量。再者，若这些硅片流到后道工艺环节，影响将被再次放大，处理难度、处理成本也会更大，经济损失会更高。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种PECVD双舟系统及其碎片检测方法，能够有效检测第一石墨舟和第二石墨舟之间是否存在碎片，从而防止石墨舟内的硅片及舟片产生白色粉尘。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种PECVD双舟系统的碎片检测方法，所述PECVD双舟系统包括反应腔、第一石墨舟和第二石墨舟，所述反应腔两端分别设有进气口和出气口，所述第一石墨舟和第二石墨舟设于所述反应腔内且沿所述进气口至所述出气口的方向排列；所述碎片检测方法包括：

对所述反应腔执行抽真空处理；

使气体注入所述反应腔内，并使所述反应腔内的压力保持预定压力；

在所述第一石墨舟上施加预定电压；

获得所述第二石墨舟上的电信号，并判断所述电信号是否大于第一预定值；

若是，则确定所述第一石墨舟和第二石墨舟之间存在碎片。

其中，所述第一石墨舟连接有第一测试电极座和第二测试电极座，所述第二石墨舟连接有第三测试电极座和第四测试电极座，且所述第二测试电极座和第三测试电极座相邻；

所述获得所述第二石墨舟上的电信号，并判断所述电信号是否大于第一预定值的步骤包括：

获得所述第二石墨舟的第三测试电极座和第四测试电极座之间的实际电压，并判断所述实际电压是否大于第二预定值。

其中，所述PECVD双舟系统还包括第一射频电源，所述第三测试电极座和第四测试电极座分别与所述第一射频电源的正负两极电连接；

所述获得所述第二石墨舟的第三测试电极座和第四测试电极座之间的实际电压的步骤包括：

获得所述第一射频电源正负两极之间的实际电压。