[发明专利]InAs纳米颗粒的制备方法与光电探测器的制备方法在审
| 申请号： | 202110689430.9 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113562763A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨晴;马林;马曼曼 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01G28/00 | 分类号： | C01G28/00;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | inas 纳米 颗粒 制备 方法 光电 探测器 | ||
1.一种InAs纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：
将三辛基氧膦和十八烯混合，加热，得到混合液；
将乙酰丙酮铟、氯化铟和醋酸铟中的一种、三苯基胂和苄醚混合后与所述混合液混合，得到混合物；
将所述混合物加热后与油胺混合，反应，得到InAs纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述三辛基氧膦和十八烯的比例为(10～40)mg：1mL。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述混合物中的铟源为乙酰丙酮铟时，所述三辛基氧膦、所述乙酰丙酮铟和所述三苯基胂的质量比为100：(20～25)：(40～48)。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得到混合液的过程中，所述加热的温度为100～200℃，时间为30～60min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得到InAs纳米颗粒的步骤中，所述加热的温度为300～330℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得到InAs纳米颗粒的步骤中，所述反应的时间为1～5h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述与混合液混合的温度为150～180℃。
8.一种光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
将InAs纳米颗粒涂布于基底表面，得到InAs纳米颗粒层；
在所述InAs纳米颗粒层表面铺设导电透明层；
分别以基底和导电透明层为电极，得到光电探测器；
所述InAs纳米颗粒为权利要求1～7任一项所述的制备方法所制备的InAs纳米颗粒。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述基底为p型硅片、n型硅片或FTO，所述导电透明层为石墨烯层。
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