[发明专利]InAs纳米颗粒的制备方法与光电探测器的制备方法

说明书

本发明提供了一种InAs纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：将三辛基氧膦和十八烯混合，加热，得到混合液；将乙酰丙酮铟、氯化铟和醋酸铟中的一种、三苯基胂和苄醚混合后与所述混合液混合，得到混合物；将所述混合物加热后与油胺混合，反应，得到InAs纳米颗粒。本申请还提供了利用上述制备的InAs纳米颗粒制备光电探测器的方法。本发明提出了一种工艺简单、条件温和、可重复的油相回流方法来制备砷化铟纳米材料，该方法得到的晶体具有单分散性好、形貌均一、光学带隙小等优点。本发明还提出一种构筑基于砷化铟纳米材料的垂直结构光电探测器方法。

技术领域

本发明涉及Ⅲ-Ⅴ族半导体制备方法即光电探测应用领域，尤其涉 及一种InAs纳米颗粒的制备方法与光电探测器的制备方法。

背景技术

Ⅲ-Ⅴ族半导体已成为新型光子和纳米电子器件的重要材料。在该 材料体系中，砷化铟由于具有高载流子迁移率和窄带隙等特性而备受 关注。但以往的研究中，大多数研究者采用CVD、MBE等技术进行 合成，这类技术制备温度高、实验条件苛刻、周期长等，因此急需一 种实验工艺简单、条件相对温和的制备方法。

在过去的几年中，高性能光电探测器因其在环境监测、生物医学、 成像、电信、安全检查和工业处理控制等领域的广泛应用而引起了人 们的极大兴趣。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种InAs纳米颗粒的制备方法， 本申请提供的制备方法可以获得形貌均一、光电性能良好的InAs纳米 颗粒。

有鉴于此，本申请提供了一种InAs纳米颗粒的制备方法，包括以 下步骤：

将三辛基氧膦和十八烯混合，加热，得到混合液；

将乙酰丙酮铟、氯化铟和醋酸铟中的一种、三苯基胂和苄醚混合 后与所述混合液混合，得到混合物；

将所述混合物加热后与油胺混合，反应，得到InAs纳米颗粒。

优选的，所述三辛基氧膦和十八烯的比例为(10～40)mg：1mL。

优选的，所述混合物中的铟源为乙酰丙酮铟时，所述三辛基氧膦、 所述乙酰丙酮铟和所述三苯基胂的质量比为100：(20～25)：(40～48)。

优选的，得到混合液的过程中，所述加热的温度为100～200℃， 时间为30～60min。

优选的，得到InAs纳米颗粒的步骤中，所述加热的温度为 300～330℃。

优选的，得到InAs纳米颗粒的步骤中，所述反应的时间为1～5h。

优选的，所述与混合液混合的温度为150～180℃。

本申请还提供了一种光电探测器的制备方法，包括以下步骤：

将InAs纳米颗粒涂布于基底表面，得到InAs纳米颗粒层；

在所述InAs纳米颗粒层表面铺设导电透明层；

分别以基底和导电透明层为电极，得到光电探测器；

所述InAs纳米颗粒为所述的制备方法所制备的InAs纳米颗粒。

优选的，所述基底为p型硅片、n型硅片或FTO，所述导电透明 层为石墨烯层。

本申请提供了一种InAs纳米颗粒的制备方法，其将三辛基氧膦和 十八烯混合，加热，即得到混合液，同时将乙酰丙酮铟、氯化铟和醋 酸铟中的一种、三苯基胂和苄醚混合后再与上述混合液混合，即得到 混合物，最后混合物加热后与油胺混合，反应，即得到InAs纳米颗粒。 本申请利用液相回流法制备了单分散性、形貌均一和光学带隙小的 InAs纳米颗粒。本申请制备的InAs纳米颗粒应用于光电探测器在可 见及红外波段具有良好的光伏响应性。

附图说明