[发明专利]存储装置的制作方法

权利要求书

1.一种存储装置的制作方法，包括：

在基底上形成多个存储单元，其中各该存储单元包括：

第一电极；

第二电极，在垂直方向上设置在该第一电极之上；以及

存储材料层，在该垂直方向上设置在该第一电极与该第二电极之间；

在该多个存储单元上形成共形间隙壁层；

在该共形间隙壁层上形成非共形间隙壁层；以及

形成第一开口，该第一开口在该垂直方向上贯穿该非共形间隙壁层的侧壁部分以及该共形间隙壁层的侧壁部分。

2.如权利要求1所述的存储装置的制作方法，其中该共形间隙壁层的该侧壁部分包括：

该共形间隙壁层的第一部分，在水平方向上形成在相邻的该多个存储单元之间；以及

该共形间隙壁层的第二部分，形成在各该存储单元的该第二电极的侧壁上。

3.如权利要求2所述的存储装置的制作方法，其中在该第一开口形成之后，该共形间隙壁层的该第二部分在该水平方向上被该非共形间隙壁层的该侧壁部分覆盖。

4.如权利要求2所述的存储装置的制作方法，其中在该第一开口形成之后，各该存储单元的该第二电极的该侧壁在该水平方向上被该共形间隙壁层的该第二部分完全覆盖，且该共形间隙壁层的该第二部分在该水平方向上被该非共形间隙壁层的该侧壁部分完全覆盖。

5.如权利要求2所述的存储装置的制作方法，其中该非共形间隙壁层的该侧壁部分包括：

该非共形间隙壁层的第一部分，形成在该共形间隙壁层的该第一部分上；以及

该非共形间隙壁层的第二部分，在该水平方向上形成在该共形间隙壁层的该第二部分上，其中该第一开口在该垂直方向上贯穿该非共形间隙壁层的该第一部分与该共形间隙壁层的该第一部分。

6.如权利要求5所述的存储装置的制作方法，其中该共形间隙壁层的第三部分在该垂直方向上形成在该多个存储单元上，该非共形间隙壁层的第三部分在该垂直方向上形成在该共形间隙壁层的该第三部分上，且各该存储单元上的该非共形间隙壁层的该第三部分与该第二部分的一部分形成凸出物结构。

7.如权利要求6所述的存储装置的制作方法，其中各该存储单元上的该非共形间隙壁层的该第三部分的宽度大于各该存储单元上的该非共形间隙壁层的该第二部分的宽度。

8.如权利要求6所述的存储装置的制作方法，其中各该存储单元上的该非共形间隙壁层的该第三部分的厚度大于各该存储单元上的该非共形间隙壁层的该第二部分的厚度。

9.如权利要求6所述的存储装置的制作方法，其中该共形间隙壁层的该第三部分在形成该第一开口的过程中被移除。

10.如权利要求6所述的存储装置的制作方法，还包括：

在该第一开口形成之前，形成第二开口，该第二开口在该垂直方向上贯穿该非共形间隙壁层的该第一部分而暴露出该共形间隙壁层的该第一部分。

11.如权利要求10所述的存储装置的制作方法，其中该非共形间隙壁层的该第三部分在形成该第二开口的过程中被移除。

12.如权利要求10所述的存储装置的制作方法，还包括：

在该第二开口形成之前，在该非共形间隙壁层上形成间隙壁层，其中该第二开口在该垂直方向上还贯穿该间隙壁层，且该第一开口在该垂直方向上还贯穿该间隙壁层。

13.如权利要求12所述的存储装置的制作方法，其中该第二开口是通过对该间隙壁层以及该非共形间隙壁层进行回蚀刻制作工艺而形成。

14.如权利要求12所述的存储装置的制作方法，其中该间隙壁层的材料组成不同于该非共形间隙壁层的材料组成。