[发明专利]存储装置的制作方法

说明书

本发明公开一种存储装置的制作方法包括下列步骤。在基底上形成多个存储单元。各存储单元包括第一电极、第二电极与存储材料层。第二电极在垂直方向上设置在第一电极之上，且存储材料层在垂直方向上设置在第一电极与第二电极之间。在存储单元上形成共形间隙壁层。在共形间隙壁层上形成非共形间隙壁层。形成第一开口在垂直方向上贯穿非共形间隙壁层的侧壁部分以及共形间隙壁层的侧壁部分。

技术领域

本发明涉及一种存储装置的制作方法，尤其是涉及一种具有间隙壁层的存储装置的制作方法。

背景技术

半导体存储器为计算机或电子产品中用于存储数据的半导体元件，其可大概分为挥发性存储器(volatile)与非挥发性(non-volatile)存储器。挥发性存储器是指当操作的电源中断后，所存储的数据便会消失的计算机存储器，而相对地，非挥发性存储器则具有不因电源供应中断而造成存储数据遗失的特性。举例来说，磁性随机存取存储器(magneticrandom access memory，MRAM)是一种非挥发性存储器技术。与目前一般标准的存储装置不同的地方在于，MRAM使用磁性来存储数据而不是利用电荷进行数据存储。通常来说，MRAM单元包括数据层和参考层。数据层由磁性材料构成，并且数据层的磁化状况可以通过施加的磁场而在两个相对的状态之间切换，由此存储二进位的信息。参考层可由磁化材料构成，其磁化状况可被锁定，使得施加到数据层并部分穿透参考层的磁场强度不足以切换参考层中的磁化状况。在读取操作期间，当数据层和参考层的磁化状况方向相同或不同时，MRAM单元的电阻不同，故可对应识别出数据层的磁化极性。

发明内容

本发明提供了一种存储装置的制作方法，利用在存储单元上形成共形(conformal)间隙壁层并在共形间隙壁层上形成非共形(non-conformal)间隙壁层，由此加强在后续制作工艺中对于存储单元的保护效果，进而可改善存储装置的制作良率。

本发明的一实施例提供一种存储装置的制作方法，包括下列步骤。在一基底上形成多个存储单元，且各存储单元包括一第一电极、一第二电极以及一存储材料层。第二电极在一垂直方向上设置在第一电极之上，而存储材料层在垂直方向上设置在第一电极与第二电极之间。在多个存储单元上形成一共形间隙壁层，并在共形间隙壁层上形成一非共形间隙壁层。然后，形成一第一开口，第一开口在垂直方向上贯穿非共形间隙壁层的一侧壁部分以及共形间隙壁层的一侧壁部分。

附图说明

图1至图9为本发明一实施例的存储装置的制作方法示意图，其中

图2为图1之后的状况示意图；

图3为图2之后的状况示意图；

图4为图3之后的状况示意图；

图5为图4之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图；

图7为图6之后的状况示意图；

图8为图7之后的状况示意图；

图9为图8之后的状况示意图；

图10为本发明另一实施例的存储装置的制作方法示意图。

主要元件符号说明

10 基底

11 介电层

21 介电层

22 金属互连

23 停止层

30 金属间介电层

40 金属互连

41 阻障层

42 金属层

50 存储单元