[发明专利]一种高信噪比的芯片以及含有该芯片的设备

权利要求书

1.一种高信噪比的芯片，所述芯片包含滤除杂讯层和电路层，所述滤除杂讯层用于吸收杂讯，所述滤除杂讯层包含从左到右依次间隙设置的干扰杂讯吸收件、杂讯余波降频件、低频杂讯吸收件，其特征在于：

定义所述芯片的时脉的频率为f，定义L=c/f，其中c为光速；

所述滤除杂讯层的接地端和所述电路层的接地端相连；

所述干扰杂讯吸收件的长度为0.125L-1.25L且不为（0.125*N）L，其中N为1-8的整数，用于吸收时脉以外的杂讯，所述干扰杂讯吸收件用于消耗部分干扰杂讯并得到杂讯余波；

所述杂讯余波降频件包含杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部，所述杂讯余波耦合部耦合设置于所述干扰杂讯吸收件的一侧，所述杂讯余波耦合部的长度和所述干扰杂讯吸收件的长度相同，所述杂讯余波消耗部的长度大于所述干扰杂讯吸收件的长度，所述杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部的底端通过连接件电性连接，所述杂讯余波降频件用于耦合所述杂讯余波并降低所述杂讯余波的频率得到低频杂讯；

所述低频杂讯吸收件的长度和所述杂讯余波消耗部的长度相同，所述低频杂讯吸收件用于耦合所述低频杂讯并消耗所述低频杂讯。

2.根据权利要求1所述的一种高信噪比的芯片，其特征在于：所述杂讯余波消耗部的长度为0.375L-1.625L且不为（0.125*M）L，其中M为3-8的整数。

3.根据权利要求1所述的一种高信噪比的芯片，其特征在于：所述干扰杂讯吸收件、所述杂讯余波降频件、所述低频杂讯吸收件的结构为若干层叠加结构，每一层均包含穿插设置的导电片和氮化硼片。

4.根据权利要求3所述的一种高信噪比的芯片，其特征在于：所述导电片为石墨烯基底或碳基底其中的一种。

5.根据权利要求3所述的一种高信噪比的芯片，其特征在于：所述干扰杂讯吸收件的长度方向、所述杂讯余波降频件的长度方向、所述低频杂讯吸收件的长度方向互相平行设置。

6.根据权利要求5所述的一种高信噪比的芯片，其特征在于：所述氮化硼片与所述长度方向相垂直。

7.根据权利要求3所述的一种高信噪比的芯片，其特征在于：所述干扰杂讯吸收件、所述低频杂讯吸收件底端均设置有接地端。

8.一种电子设备，其特征在于：包含如权利要求1所述的芯片。