[发明专利]一种高信噪比的芯片以及含有该芯片的设备

说明书

本发明涉及一种高信噪比的芯片以及含有该芯片的设备，所述芯片包含滤除杂讯层和电路层，所述滤除杂讯层用于吸收杂讯，所述滤除杂讯层包含从左到右依次间隙设置的干扰杂讯吸收件、杂讯余波降频件、干扰杂讯吸收件，定义所述芯片的时脉的频率为f，L＝c/f，其中c为光速；所述滤除杂讯层的接地端和所述电路层的接地端相连；所述干扰杂讯吸收件的长度为0.125L－1.25L且不为(0.125＊N)L，其中N为1－8的整数；所述杂讯余波降频件包含杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部。

技术领域

本发明涉及滤除杂波领域，具体指有一种高信噪比的芯片以及含有该芯片的设备。

背景技术

一个电子设备或者电子系统传递信号的过程中，经过该设备后产生的原信号中并不存在的无规则的额外信号，称为杂波。杂波会造成信号失真，特别是空气中本身充满了多种杂波，会造成信号传递的过程中参入无用信号，影响信号传输的信噪比。

滤除杂波的装置一般是滤波器实现，然而滤波器在滤除杂波的过程中，通带内的信号有能量损耗，负载效应比较明显，造成信号传递效率下降，影响电子设备的性能。

针对上述的现有技术存在的问题设计一种高信噪比的芯片以及含有该芯片的设备是本发明研究的目的。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明在于提供一种高信噪比的芯片以及含有该芯片的设备，能够有效解决上述现有技术存在的问题。

本发明的技术方案是：

一种高信噪比的芯片，所述芯片包含滤除杂讯层和电路层，所述滤除杂讯层用于吸收杂讯，所述滤除杂讯层包含从左到右依次间隙设置的干扰杂讯吸收件、杂讯余波降频件、低频杂讯吸收件，

定义所述芯片的时脉的频率为f，定义L=c/f，其中c为光速；

所述滤除杂讯层的接地端和所述电路层的接地端相连；

所述干扰杂讯吸收件的长度为0.125L-1.25L且不为（0.125*N）L，其中N为1-8的整数，用于吸收时脉以外的杂讯，所述干扰杂讯吸收件用于消耗部分干扰杂讯并得到杂讯余波；

所述杂讯余波降频件包含杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部，所述杂讯余波耦合部耦合设置于所述干扰杂讯吸收件的一侧，所述杂讯余波耦合部的长度和所述干扰杂讯吸收件的长度相同，所述杂讯余波消耗部的长度大于所述干扰杂讯吸收件的长度，所述杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部的底端通过连接件电性连接，所述杂讯余波降频件用于耦合所述杂讯余波并降低所述杂讯余波的频率得到低频杂讯；

所述低频杂讯吸收件的长度和所述杂讯余波消耗部的长度相同，所述低频杂讯吸收件用于耦合所述低频杂讯并消耗所述低频杂讯。

进一步地，所述杂讯余波消耗部的长度为0.375L-1.625L且不为（0.125*M）L，其中M为3-8的整数。

进一步地，所述干扰杂讯吸收件、所述杂讯余波降频件、所述低频杂讯吸收件的结构为若干层叠加结构，每一层均包含穿插设置的导电片和氮化硼片。

进一步地，所述导电片为石墨烯基底或碳基底其中的一种。

进一步地，所述干扰杂讯吸收件的长度方向、所述杂讯余波降频件的长度方向、所述低频杂讯吸收件的长度方向互相平行设置。

进一步地，所述氮化硼片与所述长度方向相垂直。

进一步地，所述干扰杂讯吸收件、所述低频杂讯吸收件底端均设置有接地端。

进一步提供，一种电子设备，包含上述所述的芯片。

因此，本发明提供以下的效果和/或优点：