[发明专利]OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质有效
申请号: | 202110691403.5 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113376954B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 夏国帅 | 申请(专利权)人: | 上海积塔半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 卢炳琼 |
地址: | 200120 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | opc 检测 方法 计算机 设备 可读 存储 介质 | ||
1.一种OPC检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一目标图形及第二目标图形,所述第一目标图形与所述第二目标图形具有交叠区;
对所述第一目标图形进行OPC处理,获得第一OPC图形;
对所述第二目标图形进行圆化处理,获得第一圆化图形;
选择与所述第一OPC图形相交的所述第一圆化图形,获得第二圆化图形,其中,在所述第一圆化图形中选择与所述第一OPC图形存在交叠部分的所述第一圆化图形作为所述第二圆化图形;
对所述第一OPC图形进行仿真,获得第一仿真图形;
将所述第一仿真图形与所述第二圆化图形进行逻辑否运算,获得第二仿真图形,所述第二仿真图形包括由所述第一仿真图形构成的第一边缘线及由所述第二圆化图形构成的第二边缘线,对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测,获得第一报错位置;
将所述第二圆化图形与所述第一仿真图形进行逻辑否运算,获得第二报错位置;
合并所述第一报错位置及所述第二报错位置,获得所述OPC检测的结果图形。
2.根据权利要求1所述的OPC检测方法,其特征在于:对所述第二目标图形进行圆化处理获得第一圆化图形的步骤包括:
对所述第二目标图形进行OPC处理,获得第二OPC图形;
对所述第二OPC图形进行仿真,得到圆化半径;
通过所述圆化半径对所述第二目标图形进行圆化处理,获得所述第一圆化图形。
3.根据权利要求1所述的OPC检测方法,其特征在于:对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测,获得第一报错位置的步骤包括:
设定边缘线间距阈值;
量测所述第二仿真图形中所述第一边缘线及所述第二边缘线的间距,当所述间距小于所述边缘线间距阈值时,记作所述第一报错位置。
4.根据权利要求3所述的OPC检测方法,其特征在于:所述边缘线间距阈值的范围为30nm~80nm。
5.根据权利要求3所述的OPC检测方法,其特征在于:当所述第一边缘线与所述第二边缘线之间具有交点时,还包括设置免检区的步骤。
6.根据权利要求5所述的OPC检测方法,其特征在于:所述免检区为所述第一边缘线上的量测点经所述交点至所述第二边缘线的量测点所构成的线长小于2倍~3倍的所述边缘线间距阈值的区域。
7.根据权利要求1所述的OPC检测方法,其特征在于:所述第一目标图形为注入层目标图形,所述第二目标图形为有源层目标图形。
8.根据权利要求1所述的OPC检测方法,其特征在于:获得所述第二报错位置的步骤在获得所述第一报错位置的步骤之前。
9.一种计算机设备,其特征在于:包括处理器以及存储器,所述处理器适于实现各指令,所述存储器适于存储多条指令,其中,所述指令适于由所述处理器加载并执行如权利要求1~8中任一所述的OPC检测方法。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于:所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令,其中,当所述计算机可执行的指令被执行时实现如权利要求1~8中任一所述的OPC检测方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海积塔半导体有限公司,未经上海积塔半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110691403.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备