[发明专利]OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质

说明书

本发明提供一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，其中，通过对第二目标图形进行圆化处理后，得到的圆化图形更加接近实际硅片的图形，可以减少由于与实际硅片图形间的差异所引起的误报错；通过第一仿真图形与第二圆化图形之间的逻辑否运算后，进行围住率检测，可进一步的减少围住率检查的误报错，从而得到更为准确的OPC检测的结果图形。

技术领域

本发明属于集成电路制造领域，涉及一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质。

背景技术

随着微电子技术的快速发展，集成电路设计和制造已进入纳米阶段，光掩膜图形的尺寸接近甚至小于形成光刻图形的光线波长，由于光波衍射、干涉而使光刻图形与光掩膜图形之间产生偏差现象，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。由此导致实际硅片上得到的光刻图形与光掩膜图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了生产成品良率和电路性能。

在半导体制造掩模板过程中，为了消除OPE所造成的误差，须对光掩膜图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，来弥补光学系统有限分辨率的不足。OPC技术已经广泛应用于深亚微米微影工艺中，目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，即通过OPC模型的仿真计算，可以得到微影工艺中潜在的成像误差，从而可对目标图形进行预先修正，以补偿OPE造成的图形失真或变形。

随着技术节点的往前推进，半导体制造的特征尺寸在不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须随之提高，以达到工艺制程的量产需求。因此，对OPC修正后的目标版图的结果验证也成为OPC检测的重要应用，通过对OPC修正后的目标版图进行全局仿真并检查仿真结果是否符合工艺量产标准，以此来判断OPC修正结果是否达标，同时还可以检查是否存在其它版图设计与OPC修正问题。

当半导体制造进入28nm技术节点以下后，对离子注入层的图形精度要求变得越来越高，除了要求仿真结果达到目标尺寸以外，也要求其对有源层(AA)的围住率(Enclosure)也需达到一定的工艺要求。因此，在对注入层的OPC检测中，引入了注入层仿真图形对有源层的围住率的检查。传统的围住率检查是通过量测有源层图形外部到注入层图形内部的边缘线的距离，得到距离小于一定规格的图形点并输出，以找到注入层对有源层的围住率较差的图形。

在做围住率检查时，一般采用对有源层的转角处进行切角的方法来处理，此举是为了减少有源层图形与其实际硅片图形的差异。但是当注入层图形与有源层图形之间存在违反设计规则时，切角的传统检查方法也经常导致检查结果误报错，从而降低了验证结果的准确性。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，用于解决现有技术中OPC检测误报错较多，导致准确率较低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种OPC检测方法，包括以下步骤：

提供第一目标图形及第二目标图形，所述第一目标图形与所述第二目标图形具有交叠区；

对所述第一目标图形进行OPC处理，获得第一OPC图形；

对所述第二目标图形进行圆化处理，获得第一圆化图形；

选择与所述第一OPC图形相交的所述第一圆化图形，获得第二圆化图形，其中，在所述第一圆化图形中选择与所述第一OPC图形存在交叠部分的所述第一圆化图形作为所述第二圆化图形；

对所述第一OPC图形进行仿真，获得第一仿真图形；

将所述第一仿真图形与所述第二圆化图形进行逻辑否运算，获得第二仿真图形，所述第二仿真图形包括由所述第一仿真图形构成的第一边缘线及由所述第二圆化图形构成的第二边缘线，对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测，获得第一报错位置；