[发明专利]辐射结构在审
| 申请号： | 202110691657.7 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115513640A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种辐射结构，其特征在于，包括：
第一导电层；
第二导电层；
阻挡层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间；
其中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内。
2.根据权利要求1所述的辐射结构，其特征在于，所述第二导电层的导电率高于所述第一导电层的导电率。
3.根据权利要求1所述的辐射结构，其特征在于，所述第一导电层的材料为铜，所述第二导电层的材料为金。
4.根据权利要求3所述的辐射结构，其特征在于，所述第二导电层的厚度小于0.1微米，所述第一导电层的厚度在2微米至5微米的范围内。
5.根据权利要求2所述的辐射结构，其特征在于，所述阻挡层为导磁层。
6.根据权利要求5所述的辐射结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为镍。
7.根据权利要求2所述的辐射结构，其特征在于，所述辐射结构构造为封装结构的部分，并且所述第二导电层为所述封装结构的最外层金属层。
8.根据权利要求7所述的辐射结构，其特征在于，所述辐射结构构造为天线模组中的天线层。
9.根据权利要求1所述的辐射结构，其特征在于，所述辐射结构的操作频率在3.5GHz至5GHz的范围内。
10.根据权利要求9所述的辐射结构，其特征在于，所述辐射结构的插入损耗(insertionloss)的区间值保持在约0.1dB/cm。
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