[发明专利]辐射结构

说明书

本发明提供了一种辐射结构。辐射结构可以包括：第一导电层；第二导电层；阻挡层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间。其中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种辐射结构。

背景技术

现有技术中一使用铜(Cu)材料做为天线层(antenna layer)，然而Cu表面裸露容易氧化而影响到后续的电性。因此一般做法是对Cu层进行金属结束(metal finish)处理而在Cu表面例如形成复合金属层(例如Cu-Au(金))，然而Cu-Au复合金属会形成共晶，这可能导致结构脆化，在进行热循环测试时容易破裂(crack)，无法通过信赖性测试。

因此，现有做法利用ENIG(化学镍金，Electroless Nickel Immersion Gold)制程形成Cu-Ni(镍)-Au复合层，将Ni层做为Cu层与Au层之间的阻挡层(barrier)，以避免离子扩散而减少共晶现象。然而由于金属结束处理所形成的金属复合层中存在磁性材料Ni，会阻碍电讯号穿越，并导致严重的插入损耗(insertion loss)。

发明内容

针对相关技术中的由磁性材料导致的插入损耗问题，本发明提出一种辐射结构。

根据本发明实施例的一个方面，辐射结构包括第一导电层；第二导电层；阻挡层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间。其中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内。

在上述辐射结构中，所述第二导电层的导电率高于所述第一导电层的导电率。

在上述辐射结构中，所述第一导电层的材料为铜，所述第二导电层的材料为金。

在上述辐射结构中，所述第二导电层的厚度小于0.1微米，所述第一导电层的厚度在2微米至5微米的范围内。

在上述辐射结构中，所述阻挡层为导磁层。

在上述辐射结构中，所述阻挡层的材料为镍。

在上述辐射结构中，所述辐射结构构造为封装结构的部分，并且所述第二导电层为所述封装结构的最外层金属层。

在上述辐射结构中，所述辐射结构构造为天线模组中的天线层。

在上述辐射结构中，所述辐射结构的操作频率在3.5GHz至5GHz的范围内。

在上述辐射结构中，所述辐射结构的区间值保持在约0.1dB/cm。

根据本发明实施例的另一个方面，辐射结构可以包括复合导电层，所述复合导电层的操作频率在3.5GHz至5GHz的范围内，并且所述复合导电层的区间值维持在约0.1dB/cm。

在上述辐射结构中，在3.5GHz至5GHz范围内的操作频率中，所述复合导电层的插入损耗在0.35dB至0.45dB的范围内。

在上述辐射结构中，所述复合导电层包括高导电层和低导电层。

在上述辐射结构中，所述复合导电层还包括设置在所述高导电层和所述低导电层之间的阻挡层。

在上述辐射结构中，所述阻挡层为导磁层。

在上述辐射结构中，所述阻挡层的材料为镍。

在上述辐射结构中，所述低导电层的材料为铜，所述高导电层的材料为金。

在上述辐射结构中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内。

在上述辐射结构中，所述复合导电层构造为封装结构的部分，并且所述高导电层为所述封装结构的最外层金属层。

在上述辐射结构中，所述复合导电层构造为天线模组中的天线层。