[发明专利]一种用于半导体设备的多工位全自动减薄磨削方法

说明书

本申请涉及一种用于半导体设备的多工位全自动减薄磨削方法，其包括工序1：工作台带动承片台绕工作台的旋转轴转动，磨削单元带动磨削件绕磨削件的旋转轴转动，调整磨削件与磨削位的承片台相对表面之间的距离大小为磨削成品件的厚度大小；工序2：将待磨削片放入装片位；工序3：工作台带动装片位的承片台转动至磨削位；工序4：磨削件对绕工作台旋转轴转动的待磨削片进行磨削；工序5：工作台带动磨削位的承片台转动至卸片位；工序6：将磨削成品件从卸片位取下。本申请具有提高晶片的减薄磨削效率的效果。

技术领域

本申请涉及半导体加工生产的领域，尤其是涉及一种用于半导体设备的多工位全自动减薄磨削方法。

背景技术

晶圆减薄用半导体设备主要应用于集成电路，分立器件，LED以及GPP芯片等领域的晶圆减薄磨削。目前一种减薄用半导体设备磨削工艺方法是creep-feed磨削方法，即深切缓进给磨削方法。

根据该磨削方法，砂轮高速旋转并向下进给到晶片的初始厚度所在的高度位置后，晶片随着工作台的转动而转到砂轮下方，主轴带动砂轮缓慢向下进给，砂轮和晶片表面接触对晶片进行微量厚度去除，工作台持续带动晶片多次转到砂轮下方，砂轮对晶片进行多次微量厚度去除，直到工作台上所有的晶片加工至设定的目标厚度后，磨削完成，主轴带动砂轮上升至初始位置，工作台停止转动。

发明内容

为了提高晶片的减薄磨削效率，本申请提供一种用于半导体设备的多工位全自动减薄磨削方法。

本申请提供的一种用于半导体设备的多工位全自动减薄磨削方法，采用如下的技术方案：

第一方面，本申请提供一种用于半导体设备的多工位的减薄磨削方法，采用如下的技术方案：

一种用于半导体设备的多工位的减薄磨削方法，包括磨削单元、工作台、工作台上设置有多个承片台，承片台带动待磨削片移动到与磨削件接触的区域为磨削位；承片台移动到向承片台上放置待磨削片的区域为装片位；承片台移动到从承片台上卸下待磨削片的区域为卸片位；磨削完成后的待磨削片为磨削成品件；其特征在于：所述工作台带动承片台周向转动，所述工作台带动承片台依次从装片位移动到磨削位、从磨削位移动到卸片位；承片台上的待磨削片从装片位移动到磨削位、从磨削位移动到卸片位的过程中，待磨削片与承片台之间压紧连接；

磨削单元上设置有对部件进行磨削的磨削件，磨削单元能带动磨削件转动；磨削件与承片台之间的距离能调整移动后保持稳定；磨削件与承片台之间的距离调整一次后，至少能磨削完成两个承片台上的待磨削片；

磨削单元对承片台上的待磨削片进行磨削时，工作台持续带动承片台移动；

工序1：工作台带动承片台绕工作台的旋转轴转动，磨削单元带动磨削件绕磨削件的旋转轴转动，调整磨削件与磨削位的承片台相对表面之间的距离大小为磨削成品件的厚度大小；

工序2：将待磨削片放入装片位；

工序3：工作台带动装片位的承片台转动至磨削位；

工序4：磨削件对绕工作台旋转轴转动的待磨削片进行磨削；

工序5：工作台带动磨削位的承片台转动至卸片位；

工序6：将磨削成品件从卸片位取下。

通过采用上述技术方案，对晶片的减薄磨削，一次磨削到位，不需要多次反复微量磨削，同时磨削件的位置在完成一个晶片进行磨削时，不需要多次调整高度，而现有技术完成一个晶片磨削时，磨削件的位置需要下降10次左右，本方案消除了每次下降运动部件产生的误差，磨削精度更高，同时磨削件对多个晶片进行减薄磨削时，磨削件位置保持不变，而现有技术若要完成对100个晶片的磨削，可以将晶片分成25组，每组四个晶片，磨削件需要准确移动到25次的磨削距离，而本方案可移动一次准确的距离便能完成100个晶片的减薄磨削，减少磨削件多次往复移动造成的误差。