[发明专利]三维存储器件和方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一介电层，具有第一侧壁；

第二介电层，具有第二侧壁；

字线，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间，所述字线具有外侧壁和内侧壁，所述内侧壁被从所述外侧壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁开槽；

存储器层，沿着所述字线的外侧壁、所述字线的内侧壁、所述第一介电层的第一侧壁和所述第二介电层的第二侧壁延伸；以及

半导体层，沿着所述存储器层延伸。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线具有在所述外侧壁和所述内侧壁之间延伸的连接表面，所述连接表面和所述内侧壁形成直角。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线具有在所述外侧壁和所述内侧壁之间延伸的连接表面，所述连接表面和所述内侧壁形成钝角。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线具有在所述外侧壁和所述内侧壁之间延伸的连接表面，所述连接表面和所述内侧壁形成尖角。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线具有在所述外侧壁和所述内侧壁之间延伸的连接表面，所述连接表面和所述内侧壁形成圆角。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述内侧壁被从所述外侧壁开槽的深度在10nm至50nm范围内。

7.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

位线，接触所述半导体层的侧壁和所述存储器层的侧壁；

源极线，接触所述半导体层的侧壁和所述存储器层的侧壁；以及

隔离区域，位于所述源极线和所述位线之间，所述隔离区域接触所述半导体层的侧壁和所述存储器层的侧壁。

8.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

位线，接触所述半导体层的侧壁；

源极线，接触所述半导体层的侧壁；以及

隔离区域，位于所述源极线和所述位线之间，所述半导体层将所述存储器层的侧壁与所述源极线、所述位线和所述隔离区域中的每一个分离。

9.一种存储器件，包括：

字线，包括主体部分、第一突出部分和第二突出部分，所述第一突出部分和所述第二突出部分均从所述主体部分的相反侧延伸；

存储器层，沿着所述字线延伸，所述存储器层的一部分设置在所述字线的第一突出部分和第二突出部分之间；

半导体层，沿着所述存储器层延伸，所述半导体层的一部分设置在所述字线的第一突出部分和第二突出部分之间；以及

导线，沿着所述半导体层延伸。

10.一种形成存储器件的方法，包括：

在介电材料的层之间形成第一导电材料；

从所述介电材料的侧壁对所述第一导电材料的侧壁开槽以形成侧壁凹部；

在所述侧壁凹部中沉积第二导电材料；

图案化所述第二导电材料以限定包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的字线；

在所述侧壁凹部中形成存储器层，所述存储器层接触所述字线；以及

形成与所述存储器层接触的半导体层。