[发明专利]三维存储器件和方法

说明书

在实施例中，一种器件包括：具有第一侧壁的第一介电层；具有第二侧壁的第二介电层；位于第一介电层和第二介电层之间的字线，该字线具有外侧壁和内侧壁，内侧壁被从外侧壁、第一侧壁和第二侧壁开槽；沿着字线的外侧壁、字线的内侧壁、第一介电层的第一侧壁和第二介电层的第二侧壁延伸的存储器层；以及沿着存储器层延伸的半导体层。本申请提供了三维存储器件和方法。

技术领域

本申请涉及三维存储器件和方法。

背景技术

半导体存储器用于集成电路中以用于包括例如收音机、电视、手机和个人计算机器件的电子应用。半导体存储器包括两种主要的类别。一种是易失性存储器，另一种是非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)，该RAM还可以分为两个子类，静态随机存取存储器(SRAM) 和动态随机存取存储器(DRAM)。因为当SRAM和DRAM失电时，SRAM 和DRAM会失去所储存的信息，所以SRAM和DRAM这两者均是易失性的。

另一方面，非易失性存储器可以保持储存在其中的数据。一种类型的非易失性半导体存储器是铁电随机存取存储器(FeRAM)。FeRAM的优点包括快速的读取/写入速度和小尺寸。

发明内容

本申请的实施例提供一种器件，包括：第一介电层，具有第一侧壁；第二介电层，具有第二侧壁；字线，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间，所述字线具有外侧壁和内侧壁，所述内侧壁被从所述外侧壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁开槽；存储器层，沿着所述字线的外侧壁、所述字线的内侧壁、所述第一介电层的第一侧壁和所述第二介电层的第二侧壁延伸；以及半导体层，沿着所述存储器层延伸。

本申请的实施例提供一种器件，包括：字线，包括主体部分、第一突出部分和第二突出部分，所述第一突出部分和所述第二突出部分均从所述主体部分的相反侧延伸；存储器层，沿着所述字线延伸，所述存储器层的一部分设置在所述字线的第一突出部分和第二突出部分之间；半导体层，沿着所述存储器层延伸，所述半导体层的一部分设置在所述字线的第一突出部分和第二突出部分之间；以及导线，沿着所述半导体层延伸。

本申请的实施例还提供一种方法，包括：在介电材料的层之间形成第一导电材料；从所述介电材料的侧壁对所述第一导电材料的侧壁开槽以形成侧壁凹部；在所述侧壁凹部中沉积第二导电材料；图案化所述第二导电材料以限定包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的字线；在所述侧壁凹部中形成存储器层，所述存储器层接触所述字线；以及形成与所述存储器层接触的半导体层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1A、图1B和图1C是存储器阵列的各种视图。

图2至图16D是根据一些实施例的制造存储器阵列的中间阶段的视图。

图17A至图17J是根据一些实施例的制造存储器阵列的阶梯结构的中间阶段的视图。

图18A和图18B是根据各个实施例的薄膜晶体管的三维视图。

图19是根据一些其他实施例的在制造的中间阶段的存储器阵列的三维视图。

图20是根据一些其他实施例的在制造的中间阶段的存储器阵列的三维视图。

图21是根据一些其他实施例的存储器阵列的制造中的中间阶段的视图。

图22是根据一些其他实施例的在制造的中间阶段的存储器阵列的三维视图。

图23是根据一些实施例的半导体器件的截面图。

具体实施方式