[发明专利]一种微器件转移方法在审
申请号: | 202110695722.3 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113437007A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 潘章旭;龚政;郭婵;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超;胡诗犇;邹胜晗;陈志涛 | 申请(专利权)人: | 广东省科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L33/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 荣颖佳 |
地址: | 510651 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 转移 方法 | ||
1.一种微器件转移方法,其特征在于,所述方法包括:
基于一原始衬底制作多个微器件,其中,所述多个微器件呈阵列排布;
将转移器件的粘接脚与所述多个微器件对准并转移至目标衬底,其中,所述转移器件由形状记忆有机物材料制作而成;
对所述转移器件施加外部刺激,以使所述转移器件的粘接脚收回,且所述粘接脚与所述微器件分离。
2.如权利要求1所述的微器件转移方法,其特征在于,在所述对所述转移器件施加外部刺激,以使所述转移器件的粘接脚收回的步骤之后,所述方法还包括:
撤销所述转移器件的外部刺激,以使所述转移器件的粘接脚恢复。
3.如权利要求1所述的微器件转移方法,其特征在于,所述目标衬底上设置有粘合层,所述将转移器件的粘接脚与所述多个微器件对准并转移至目标衬底的步骤包括:
将转移器件的粘接脚的端部与所述多个微器件对准并转移至所述粘合层,其中,所述粘合层的粘性大于所述粘接脚端部的粘性,所述粘接脚沿阵列排布,相邻两个粘接脚之间的间距与相邻两个微器件之间的间距相等。
4.如权利要求1所述的微器件转移方法,其特征在于,在所述将转移器件的粘接脚与所述多个微器件对准并转移至目标衬底的步骤之前,所述方法还包括:
固定形状记忆有机物的形态,以制作所述转移器件。
5.如权利要求4所述的微器件转移方法,其特征在于,所述固定形状记忆有机物的形态,以制作所述转移器件的步骤包括:
制备具有粘接脚形状的模具;
将处于初始状态的形状记忆有机物压入模具,施加压力与外部刺激,以制作处于固定态的转移器件,其中,当所述转移器件处于固定态时,所述转移器件的粘接脚伸出。
6.如权利要求5所述的微器件转移方法,其特征在于,在将处于初始状态的形状记忆有机物压入模具,施加压力与外部刺激,以制作处于固定态的转移器件的步骤之后,所述方法还包括:
对所述转移器件的粘接脚进行等离子处理或覆盖粘性物质处理,以使所述粘接脚的端部具有粘性。
7.如权利要求1所述的微器件转移方法,其特征在于,在所述将转移器件的粘接脚与所述多个微器件对准并转移至目标衬底的步骤之前,所述方法还包括:
对所述微器件进行预处理,以使所述微器件处于可转移状态。
8.如权利要求7所述的微器件转移方法,其特征在于,所述对所述微器件进行预处理,以使所述微器件处于可转移状态的步骤包括:
对所述微器件进行激光剥离或湿法腐蚀,以使所述微器件处于可转移状态。
9.如权利要求1所述的微器件转移方法,其特征在于,所述对所述转移器件施加外部刺激的步骤包括:
对所述转移器件进行光照、通电或加热处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省科学院半导体研究所,未经广东省科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110695722.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造