[发明专利]裸露晶背的芯片检测样品的制备方法在审
申请号: | 202110696726.3 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113514298A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 戴伟峰;李苏佼;陈景亮;叶金明;高峰 | 申请(专利权)人: | 闳康技术检测(上海)有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N1/36;G01N1/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裸露 芯片 检测 样品 制备 方法 | ||
1.裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:包括:
S1、材料准备,准备测试公板(1)和待检测的芯片(2),所述测试公板(1)上设置有导电件(12),在测试公板(1)上贯穿开设安放所述芯片(2)的安装孔(11);
S2、芯片(2)固定,使用热熔蜡将芯片(2)固定在安装孔(11)中;
S3、裸露晶背,去除芯片(2)两侧的塑封体(22),暴露出芯片(2)上的金属接点(23)、裸片(21);
S4、打线,利用打线机电连接芯片(2)上的金属接点(23)和测试公板(1)上的导电件(12)。
2.根据权利要求1所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:S2包括:
S21、准备具有放置平面的固定物,将测试公板(1)和芯片(2)放置在固定物的放置平面上;
S22、在测试公板(1)和芯片(2)之间滴入熔融状态的热熔胶,热熔胶冷却连接固定测试公板(1)和芯片(2)。
3.根据权利要求2所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:S3包括:
S31、分析所述芯片(2)的塑封体(22)的成分;
S32、配置溶解所述芯片(2)的塑封体(22)的化学剂;
S33、根据芯片(2)大小和溶解效率选择适量的配置好的化学剂;
S34、将溶解液滴在芯片(2)上溶解,裸露出所述芯片(2)的晶背。
4.根据权利要求3所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:还包括:S5、去除固定物,去除芯片(2)背面的固定物。
5.根据权利要求4任一项所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:S5包括:
S51、向安装孔(11)中填充电子元器件灌封胶,完全填充安装孔(11);
S52、高温烘烤安装孔(11)区域;
S53、将固定物在测试公板(1)背侧移除,得到晶背暴露的芯片检测样品。
6.根据权利要求1-5任一权利要求所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:S1中的所述测试公板(1)为电路板,所述导电件(12)为所述电路板上的多个接电座,所述电路板上的接电座环绕所述安装孔(11)设置。
7.根据权利要求2-5任一权利要求所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:S21中所述固定物的放置平面上涂覆有不与热熔胶粘结的防粘涂层。
8.根据权利要求2-5任一权利要求所述的裸露晶背的芯片检测样品的制备方法,其特征在于:所述测试公板(1)上的安装孔(11)轮廓大于芯片(2)的外轮廓。
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