[发明专利]一种离面检测陀螺仪在审
申请号: | 202110697584.2 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113375653A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 丁希聪;凌方舟;蒋乐跃;金羊华 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(天津)有限公司 |
主分类号: | G01C19/5656 | 分类号: | G01C19/5656 |
代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 300450 天津市自贸试验区(*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 陀螺仪 | ||
本发明提供一种离面检测陀螺仪,其包括:左框架结构,其位于中心点A左侧,其内定义有第一空间,其能够沿X轴进行谐振运动;右框架结构,其位于中心点A右侧,其内定义有第二空间,其能够沿X轴进行与左框架结构反向的谐振运动;左移动质量块,其位于左框架结构的第一空间,其通过第一倾斜挠性梁与左框架结构相连;左敏感质量块,其位于左框架结构的第一空间,其通过第一敏感挠性梁与左移动质量块相连;右移动质量块,其位于右框架结构的第二空间,其通过倾斜挠性梁与右框架结构相连;右敏感质量块,其位于右框架结构的第二空间,其通过第二敏感挠性梁与右移动质量块相连。与现有技术相比,本发明设计合理紧凑,可靠性好,检测精度高。
【技术领域】
本发明涉及微机械系统技术领域,尤其涉及一种具有高检测精度的离面检测陀螺仪。
【背景技术】
陀螺是用于测量角速率的传感器,是惯性技术的核心器件之一,在现代工业控制、航空航天、国防军事及消费电子等领域发挥着重要作用。
传统的离轴陀螺仪为单质量块结构,驱动时驱动框架带动敏感质量块运动,检测时,敏感质量块发生离面运动,用来检测X/Y轴角速率;常见的双框架结构陀螺仪多为面内检测,少有用来检测离轴角速率。参见中国发明专利CN109737943A和CN108507555A,均公开了一种双框架MEMS陀螺仪,公开的微陀螺结构设计精巧,驱动时沿X方向运动,当敏感到哥氏力时,敏感质量块沿Y方向运动,该结构主要用于检测面内Z轴角速率;继续参考中国发明专利CN109059893A,主要公开了一个单片双轴陀螺仪,该结构设计巧妙,驱动时所述驱动模块会带动所述正方形框架和纵向条形X轴检测板沿Y轴发生运动,当敏感到X轴有角速率输入时,所述纵向条形X轴检测板沿Z轴发生运动,其通过X轴检测疏齿电容变化可得到X轴角速率;当敏感到Z轴有角速率输入时,所述正方形框架沿Y轴发生运动,其通过Z轴检测疏齿电容变化可得到Z轴角速率。但是,该陀螺仪结构离轴角速率检测精度较低。
因此,亟需提出一种新的技术方案来解决离轴陀螺仪检测精度低的问题。
【发明内容】
本发明的目的之一在于提供一种离面检测陀螺仪,其采用双框架结构,一方面,其结构设计新颖,通过巧妙的倾斜挠性梁结构和质量块设计,实现了离轴角速率检测;另一方面,其设计合理紧凑,可靠性好,工艺简单,检测精度高。
根据本发明的一个方面,本发明提供一种离面检测陀螺仪,其包括:左框架结构,其位于中心点A的左侧,其内定义有第一空间,所述左框架结构能够沿X轴进行谐振运动;右框架结构,其位于所述中心点A的右侧,其内定义有第二空间,所述右框架结构与所述左框架结构平行且间隔预定距离,其能够沿X轴进行与所述左框架结构反向的谐振运动;左移动质量块,其位于所述左框架结构的第一空间内,其通过第一倾斜挠性梁与所述左框架结构相连;左敏感质量块,其位于所述左框架结构的第一空间内,其通过第一敏感挠性梁与所述左移动质量块相连;右移动质量块,其位于所述右框架结构的第二空间内,其通过第二倾斜挠性梁与所述右框架结构相连;右敏感质量块,其位于所述右框架结构的第二空间内,其通过第二敏感挠性梁与所述右移动质量块相连。
与现有技术相比,本发明设计的离面检测陀螺仪采用双框架结构,可用于X/Y轴角速率检测,框架结构内巧妙的设置了移动质量块、敏感质量块和挠性梁结构,驱动时移动质量块带动敏感质量块发生运动;检测时移动质量块发生倾斜(或离面倾斜),敏感质量块可沿Z轴发生垂直上下运动(或离面运动);挠性梁结构可将平面内运动转换为平面外运动,从而使本发明设计的离面检测微陀螺结构设计合理紧凑,可靠性好,工艺简单,检测精度高。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
图1为本发明在一个实施例中的离面检测陀螺仪的整体结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美新半导体(天津)有限公司,未经美新半导体(天津)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110697584.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。