[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

衬底；

配线层，设置在所述衬底上，且包含源极线；

积层体，在所述配线层上将多个导电层与多个绝缘层交替地积层而成；

单元膜，设置在所述积层体内；

半导体膜，在所述积层体内与所述单元膜对向；及

扩散膜，在所述配线层内与所述源极线相接并且在所述积层体内与所述半导体膜相接；

所述扩散膜包含杂质，所述扩散膜的上端部位于所述多个导电层中的比最下层的导电层高的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源极线包含金属。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述半导体膜为包含所述杂质的浓度低于所述扩散膜的非掺杂硅的通道膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备：

第1芯绝缘膜，与所述扩散膜对向，且包含所述杂质；及

第2芯绝缘膜，在所述第1芯绝缘膜上与所述半导体膜对向，且所述杂质的浓度低于所述第1芯绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1芯绝缘膜中的所述杂质的浓度与所述扩散膜中的所述杂质的浓度相同。

6.一种半导体装置的制造方法，

在衬底上，形成包含第1绝缘膜的配线层，

在所述配线层上，形成将多个第1绝缘层与多个第2绝缘层交替地积层而成的积层体，

形成贯通所述第1绝缘膜及所述积层体的空穴，

在所述空穴内形成单元膜，

在所述空穴的底部，嵌埋包含杂质且上端部位于所述多个第1绝缘层中的比最下层的第1绝缘层高的位置的扩散膜，

在所述扩散膜上，形成与所述单元膜对向的半导体膜，

将所述第1绝缘膜置换为与所述扩散膜相接的源极线，

将所述第1绝缘层置换为导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置制造方法，其中由金属形成所述源极线。

8.根据权利要求6所述的半导体装置制造方法，其中形成包含所述杂质的浓度低于所述扩散膜的非掺杂硅的通道膜，作为所述半导体膜。

9.一种半导体装置的制造方法，

在衬底上，形成包含第1绝缘膜的配线层，

在所述配线层上，形成将多个第1绝缘层与多个第2绝缘层交替地积层而成的积层体，

形成贯通所述第1绝缘膜及所述积层体的空穴，

在所述空穴内形成单元膜，

在所述空穴内形成与所述单元膜对向的半导体膜，

在所述空穴的底部，嵌埋包含杂质且上端部位于所述多个第1绝缘层中的比最下层的第1绝缘层高的位置的第1芯绝缘膜，

通过将所述杂质从所述第1芯绝缘膜扩散到所述半导体膜的一部分，来形成扩散膜，

在所述第1芯绝缘膜上，形成与所述半导体膜对向的第2芯绝缘膜，

将所述第1绝缘膜置换为与所述扩散膜相接的源极线，

将所述第1绝缘层置换为导电层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置制造方法，其中由金属形成所述源极线。

11.根据权利要求9所述的半导体装置制造方法，其中形成包含所述杂质的浓度低于所述扩散膜的非掺杂硅的通道膜，作为所述半导体膜。

12.根据权利要求9所述的半导体装置制造方法，其中所述第1芯绝缘膜中的所述杂质的浓度与所述扩散膜中的所述杂质的浓度相同。