[发明专利]一种高纯度锡酸镉粉体及其制备方法有效
申请号: | 202110698372.6 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113371754B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 张君 | 申请(专利权)人: | 石久光学科技发展(北京)有限公司 |
主分类号: | C01G19/00 | 分类号: | C01G19/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 | 代理人: | 张峰 |
地址: | 102211 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纯度 锡酸镉粉体 及其 制备 方法 | ||
1.一种高纯度锡酸镉粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:将氢氧化镉粉体、氧化亚锡粉体与草酸溶液混合,升温至90-130℃进行干燥,有草酸镉、草酸锡生成;然后装入反应釜中,真空条件下升温,有锡酸镉和亚锡酸镉生成,草酸与氢氧化镉反应生成草酸镉,通入0.09-0.11Pa的氧气继续升温55-65min至540-560℃,草酸镉分解放热,继续有锡酸镉和亚锡酸镉生成,再继续通入0.49-0.51 Pa的氧气,并继续升温55-60min至880-900℃,并保温110-130min,亚锡酸镉再与氧气反应变为锡酸镉,冷却,得到锡酸镉粉体;
其中,草酸占氢氧化镉粉体、氧化亚锡粉体和草酸三者总质量的10%-15%,氢氧化镉粉体和氧化亚锡粉体的摩尔比为2:1或1:1;
草酸溶液为草酸水溶液或草酸乙醇溶液。
2.根据权利要求1所述的高纯度锡酸镉粉体的制备方法,其特征在于:真空条件下升温为:抽真空,升温55-65min至340-360℃,并保温110-130min。
3.根据权利要求1所述的高纯度锡酸镉粉体的制备方法,其特征在于:氢氧化镉粉体、氧化亚锡粉体和草酸的纯度均在99.99%以上。
4.根据权利要求1所述的高纯度锡酸镉粉体的制备方法,其特征在于:氢氧化镉粉体和氧化亚锡粉体均为微米级或纳米级。
5.根据权利要求1所述的高纯度锡酸镉粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)取氢氧化镉粉体和氧化亚锡粉体,放入到球磨罐中,加入草酸水溶液,混合成糊状,加入氧化锆研磨球进行球磨,再将球磨后的粉体放在不锈钢真空箱内升温至90-130℃进行干燥,然后磨粉,此时得到的粉体中含有氢氧化镉、氧化亚锡、草酸和少量的草酸镉、草酸锡;
(2)将步骤(1)得到的粉体装入石英管中,以石英管作为反应釜,放入管式烧结炉将其抽真空,升温55-65min至340-360℃,并保温110-130min,此时,透过视窗观察到石英管内的深褐色粉体逐渐变为棕黄色,氢氧化镉熔融分解,有锡酸镉和亚锡酸镉生成,草酸与氢氧化镉反应生成草酸镉;
(3)向石英管中通入0.09-0.11 Pa的氧气,升温55-65 min至540-560℃,此时草酸镉分解出来的草酸根与氧气反应,放出大量的热,并作用于氧化亚锡与氧化镉的催化,同时产生更多的锡酸镉和亚锡酸镉;
(4)向石英管中继续通入0.49-0.51 Pa的氧气,并继续升温55-60 min至890-900℃,并保温110-130min,此过程中亚锡酸镉充分与氧气反应,变为稳定的锡酸镉;
(5)自然冷却至室温,得到锡酸镉单相粉末。
6.一种权利要求1-5任一所述的制备方法制备得到的高纯度锡酸镉粉体。
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