[发明专利]显示面板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110699461.2 申请日: 2021-06-23
公开(公告)号: CN113488514B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 林高波 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 官建红
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列基板和设于所述阵列基板上的阳极层、像素定义层和阴极;

所述阳极层包括同层且间隔设置的辅助电极和发光电极,所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极,所述牺牲电极包括至少一个底切开口,所述底切开口延伸入所述像素定义层;

所述像素定义层设于所述阵列基板和所述阳极层上,所述像素定义层设有对应于所述辅助电极的第一像素开口;所述第一像素开口连通所述底切开口;

所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极,所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接;

所述发光电极至少包括第一阳极和设于所述第一阳极上的第二阳极,所述第一阳极和所述第一辅助阴极同层设置,所述第二阳极和所述牺牲电极同层设置;所述第一阳极和所述第一辅助阴极通过同一道黄光制程制备而成,所述第二阳极和所述牺牲电极通过同一道黄光制程制备而成。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光功能层;

所述像素定义层设有第二像素开口,所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极;

所述发光功能层覆盖所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极,所述阴极覆盖所述发光功能层和裸露的部分所述第一辅助阴极。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的一部分落入所述底切开口在所述阵列基板上的正投影内,所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的另一部分与所述底切开口在所述阵列基板上的正投影不重叠。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底和设于所述衬底上的薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管和第二辅助阴极,所述薄膜晶体管包括源极和漏极,所述第二辅助阴极与所述源极及所述漏极同层设置;

其中,所述第一辅助阴极与所述第二辅助阴极电连接,所述发光电极与所述源极电连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层和平坦层,所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管阵列层,所述平坦层覆盖所述钝化层;

所述阵列基板还包括辅助电极接触孔和阳极接触孔,所述辅助电极接触孔和所述阳极接触孔均贯穿所述钝化层和所述平坦层,所述第一辅助阴极通过所述辅助电极接触孔与所述第二辅助阴极电连接,所述发光电极通过所述阳极接触孔与所述源极电连接。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一辅助阴极的材料为Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的任意一种或多种,所述牺牲电极的材料为透明导电氧化物。

7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一阵列基板;

在所述阵列基板上形成阳极层;

利用黄光制程对所述阳极层进行图案化处理以形成同层且间隔设置的辅助电极和发光电极,所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极;

在所述阵列基板和所述阳极层上形成像素定义层,所述像素定义层形成有第一像素开口和第二像素开口,所述第一像素开口裸露出部分所述牺牲电极,所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极;

在所述像素定义层上形成光刻胶层;

利用黄光制程对所述光刻胶层进行图案化处理形成至少一个缺口,所述缺口位于所述光刻胶层与待形成的底切开口对应的区域,所述缺口裸露出部分所述牺牲电极;

采用湿法刻蚀工艺蚀刻所述牺牲电极形成所述底切开口,所述底切开口和所述第一像素开口连通,所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极;以及

在所述阳极层上形成阴极,所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述阳极层上形成阴极之前,还包括以下步骤:

控制蒸镀源的蒸镀角度为第一设定角度,在所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极上蒸镀形成发光功能层;以及

调整所述蒸镀源的蒸镀角度为第二设定角度,在所述发光功能层上形成所述阴极。

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