[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202110699461.2 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113488514B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 林高波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板包括阵列基板和设于阵列基板上的阳极层和阴极;阳极层包括间隔设置的辅助电极和发光电极,辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于第一辅助阴极上的牺牲电极。本发明通过在牺牲电极上设置至少一个底切开口,底切开口裸露出第一辅助阴极,阴极通过底切开口与第一辅助阴极搭接,使得阴极和第一辅助阴极形成并联结构,从而减小阴极电阻,达到改善显示面板的电流压降的效果,有利于提升显示面板亮度均一性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板包括透明阳极、发光层和金属阴极,为了增大透过率,通常将金属阴极的厚度设置的较薄,导致金属阴极的电阻较大,电流压降(IR-drop)严重,从而导致显示面板亮度不均,严重影响了OLED显示面板的显示效果。
综上,亟需提供一种显示面板及其制备方法,来解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有的显示面板因金属阴极厚度较薄,导致金属阴极的电阻较大,电流压降严重的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括阵列基板和设于所述阵列基板上的阳极层和阴极;
所述阳极层包括间隔设置的辅助电极和发光电极,所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极,所述牺牲电极包括至少一个底切开口,所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极,所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接。
根据本发明提供的显示面板,所述发光电极至少包括第一阳极和设于所述第一阳极上的第二阳极,所述第一阳极和所述第一辅助阴极同层设置,所述第二阳极和所述牺牲电极同层设置。
根据本发明提供的显示面板,所述显示面板还包括像素定义层和发光功能层;
所述像素定义层设于所述阵列基板和所述阳极层上,所述像素定义层设有第一像素开口和第二像素开口,所述第一像素开口连通所述底切开口,所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极;
所述发光功能层覆盖所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极,所述阴极覆盖所述发光功能层和裸露的部分所述第一辅助阴极。
根据本发明提供的显示面板,所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的一部分落入所述底切开口在所述阵列基板上的正投影内,所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的另一部分与所述底切开口在所述阵列基板上的正投影不重叠。
根据本发明提供的显示面板,所述阵列基板包括衬底和设于所述衬底上的薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管和第二辅助阴极,所述薄膜晶体管包括源极和漏极,所述第二辅助阴极与所述源极及所述漏极同层设置;
其中,所述第一辅助阴极与所述第二辅助阴极电连接,所述发光电极与所述源极电连接。
根据本发明提供的显示面板,所述阵列基板还包括钝化层和平坦层,所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管阵列层,所述平坦层覆盖所述钝化层;
所述阵列基板还包括辅助电极接触孔和阳极接触孔,所述辅助电极接触孔和所述阳极接触孔均贯穿所述钝化层和所述平坦层,所述第一辅助阴极通过所述辅助电极接触孔与所述第二辅助阴极电连接,所述发光电极通过所述阳极接触孔与所述源极电连接。
根据本发明提供的显示面板,所述第一辅助阴极的材料为Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的任意一种或多种,所述牺牲电极的材料为透明导电氧化物。
本发明提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110699461.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的