[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的发光结构；所述发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构；

扩展电极，所述扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；

透明导电层，所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面；且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；

第一电极，所述第一电极层叠于所述发光结构的表面，并与所述透明导电层或所述扩展电极的裸露部分形成欧姆接触；

第二电极，所述第二电极与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括水平结构的LED芯片，则，所述发光结构的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，所述第二电极通过沉积于所述凹槽与所述第一型半导体层形成欧姆接触；所述第一电极、扩展电极、透明导电层均设置于所述台面，且所述第一电极的侧壁与所述透明导电层或所述扩展电极的裸露部分形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括垂直结构的LED芯片；则，所述衬底为导电衬底，所述导电衬底作为所述第二电极与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，在所述发光结构的背离所述衬底的一侧表面设有阻挡层，所述阻挡层设于所述第一电极外围，且所述扩展电极层叠于所述阻挡层背离所述发光结构的一侧表面。

5.根据权利要求2或3所述的LED芯片，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述透明导电层及所述发光结构的裸露面。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述扩展电极包括Al、Ti、Pt、Ti、Au中的一种或多种金属堆叠。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述扩展电极包括沿所述第一方向依次堆叠的Al层和Ti层，且所述Ti层与所述透明导电层形成接触。

8.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于实现水平结构的LED芯片的制作，其包括如下步骤：

A1、提供一衬底；

A2、在所述衬底表面形成发光结构，所述发光结构至少包括沿生长方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层；

A3、将所述发光结构的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层，形成凹槽及发光台面，所述凹槽裸露部分所述第一型半导体层；

A4、在所述发光台面的表面预设第一电极制作区，且在所述发光台面除所述第一电极制作区之外的区域层叠一阻挡层，所述阻挡层用于电流阻挡；

A5、在所述阻挡层表面蒸镀形成扩展电极；

A6、沉积一透明导电层，所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露位于所述第一电极制作区边缘的扩展电极；

A7、沉积第一电极于所述第一电极制作区，且第一电极与所述透明导电层或所述扩展电极的裸露区域形成欧姆接触；

A8、沉积第二电极于所述凹槽内，并与所述第一型半导体层形成欧姆接触；

A9、在所述透明导电层及所述发光结构的裸露面沉积钝化层。

9.根据权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述扩展电极包括沿所述依次堆叠的Al层和Ti层，且所述Ti层与所述透明导电层形成接触。

10.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于实现垂直结构的LED芯片的制作，其包括如下步骤：

S1、提供生长衬底；

S2、在所述生长衬底表面形成发光结构，所述发光结构至少包括沿生长方向依次生成堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层；

S3、在所述发光结构的表面预设第一电极制作区，且在所述发光结构表面除所述第一电极制作区之外的区域蒸镀形成扩展电极；

S4、沉积一透明导电层，所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露位于所述第一电极制作区边缘的扩展电极；

S5、沉积第一电极于所述第一电极制作区，且第一电极与所述透明导电层或所述扩展电极的裸露区域形成欧姆接触；

S6、剥离所述生长衬底，并裸露所述第一型半导体层的表面；

S7、将所述第一型半导体层的裸露面键合至一导电衬底，所述导电衬底可作为第二电极与所述第一型半导体层形成欧姆接触；

S8、在所述透明导电层及所述发光结构的裸露面沉积钝化层。