[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

说明书

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面，且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；使透明导电层层叠于扩展电极之上，实现第一电极与扩展电极分层制作，从而实现扩展电极的选择灵活性，以减少扩展电极对光的吸收，同时可防止扩展电极脱落的现象。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。LED具有效率高、寿命长、体积小、功耗低等优点，可以应用于室内外白光照明、屏幕显示、背光源等领域。

为了实现LED芯片的电流扩展，目前LED芯片通常会在发光台面制作透明导电层后，一体制作电极焊盘及扩展电极，使扩展电极层叠于透明导电层上方，如专利公开号为CN105226177A等现有文献所示。上述方案中，由于LED芯片的电极焊盘及扩展电极占据LED芯片较大的发光面积，对于芯片遮光及吸光量较大，同时，在发光台面的顶部制作finger容易脱落。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种LED芯片及其制备方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED芯片及其制备方法，以解决现有技术中LED芯片的扩展电极遮光、吸光以及容易脱落等技术问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种LED芯片，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的发光结构；所述发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构；

扩展电极，所述扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；

透明导电层，所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面；且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；

第一电极，所述第一电极层叠于所述发光结构的表面，并与所述透明导电层或所述扩展电极的裸露部分形成欧姆接触；

第二电极，所述第二电极与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

优选地，所述LED芯片包括水平结构的LED芯片，则，所述发光结构的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，所述第二电极通过沉积于所述凹槽与所述第一型半导体层形成欧姆接触；所述第一电极、扩展电极、透明导电层均设置于所述台面，且所述第一电极的侧壁与所述透明导电层或所述扩展电极的裸露部分形成欧姆接触。

优选地，所述LED芯片包括垂直结构的LED芯片；则，所述衬底为导电衬底，所述导电衬底作为所述第二电极与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

优选地，在所述发光结构的背离所述衬底的一侧表面设有阻挡层，所述阻挡层设于所述第一电极外围，且所述扩展电极层叠于所述阻挡层背离所述发光结构的一侧表面。

优选地，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述透明导电层及所述发光结构的裸露面。

优选地，所述扩展电极包括Al、Ti、Pt、Ti、Au中的一种或多种金属堆叠。

优选地，所述扩展电极包括沿所述第一方向依次堆叠的Al层和Ti层，且所述Ti层与所述透明导电层形成接触。

本发明还提供了一种LED芯片的制备方法，所述制备方法用于实现水平结构的LED芯片的制作，其包括如下步骤：

A1、提供一衬底；