[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

通过一次构图工艺，在基底上形成有源层；

在所述有源层背离所述基底一侧沉积并形成栅极绝缘层；

通过一次构图工艺，形成贯穿所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔；所述第一过孔和所述第二过孔分别位于所述有源层的两端；

通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极；所述第一电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述有源层连接；所述栅极在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在基底上形成有源层，之前还包括：

通过一次构图工艺，在基底上形成遮挡层；所述遮挡层在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠；

在所述遮挡层背离所述基底一侧形成缓冲层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极，之前还包括：

通过一次构图工艺，形成贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三过孔，以使得所述第二电极通过所述第三过孔与所述遮挡层连接。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一电极在所述基底上的正投影与所述第一过孔在所述基底上的正投影仅部分重叠；

所述第二电极在所述基底上的正投影与所述第二过孔在所述基底上的正投影仅部分重叠。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料包括铜；所述有源层的材料包括氧化物半导体材料；或者，所述第一电极和所述第二电极的材料包括铝；所述有源层的材料包括含锌氧化物半导体材料。

6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极，之后还包括：

对所述有源层与所述第一过孔和所述第二过孔对应区域进行导体化处理。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述有源层与所述第一过孔和所述第二过孔对应区域进行导体化处理，包括：

以所述第一电极、所述栅极和所述第二电极为掩膜，对未被所述第一电极、所述栅极和所述第二电极覆盖的所述栅极绝缘层进行刻蚀，以使部分的所述有源层露出；

对露出的所述有源层进行导体化处理。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述有源层与所述第一过孔和所述第二过孔对应区域进行导体化处理，之前还包括：

将所述第一电极、所述栅极和所述第二电极上的光刻胶进行保留或剥离。

9.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极，之后还包括：

以所述第一电极、所述栅极和所述第二电极为掩膜，对未被所述第一电极、所述栅极和所述第二电极覆盖的所述栅极绝缘层进行刻蚀，以使得所述栅极绝缘层仅被部分刻蚀。

10.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极，之后还包括：

利用干刻工艺，对所述栅极绝缘层进行刻蚀，以使得所述栅极绝缘层仅被部分刻蚀。