[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

说明书

本公开提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备过程中需要较多数量的掩膜板的问题。本公开的薄膜晶体管的制备方法，包括：通过一次构图工艺，在基底上形成有源层；在有源层背离基底一侧沉积并形成栅极绝缘层；通过一次构图工艺，形成贯穿栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔；第一过孔和第二过孔分别位于有源层的两端；通过一次构图工艺，在栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极；第一电极通过第一过孔与有源层连接，第二电极通过第二过孔与有源层连接；栅极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影至少部分重叠。

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管作为重要的开关控制元件，在显示装置中起着关键性作用。在现有技术中，为了使显示装置具有良好的画面显示质量，通常在显示装置的显示面板内设置薄膜晶体管。

在薄膜晶体管的制备过程中，一般采用掩膜板进行构图工艺，目前的薄膜晶体管的制备工艺较为复杂，相应的使用的掩膜板的数量较多，由于掩膜板的成本较高，因此目前的薄膜晶体管的制备方法不利于成本控制。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。

第一方面，本公开实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

通过一次构图工艺，在基底上形成有源层；

在所述有源层背离所述基底一侧沉积并形成栅极绝缘层；

通过一次构图工艺，形成贯穿所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔；所述第一过孔和所述第二过孔分别位于所述有源层的两端；

通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极；所述第一电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述有源层连接；所述栅极在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠。

可选地，所述通过一次构图工艺，在基底上形成有源层，之前还包括：

通过一次构图工艺，在基底上形成遮挡层；所述遮挡层在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠；

在所述遮挡层背离所述基底一侧形成缓冲层。

可选地，所述通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极，之前还包括：

通过一次构图工艺，形成贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三过孔，以使得所述第二电极通过所述第三过孔与所述遮挡层连接。

可选地，所述第一电极在所述基底上的正投影与所述第一过孔在所述基底上的正投影仅部分重叠；

所述第二电极在所述基底上的正投影与所述第二过孔在所述基底上的正投影仅部分重叠。

可选地，所述第一电极和所述第二电极的材料包括铜；所述有源层的材料包括氧化物半导体材料；或者，所述第一电极和所述第二电极的材料包括铝；所述有源层的材料包括含锌氧化物半导体材料。

可选地，所述通过一次构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极，之后还包括：

对所述有源层与所述第一过孔和所述第二过孔对应区域进行导体化处理。

可选地，所述对所述有源层与所述第一过孔和所述第二过孔对应区域进行导体化处理，包括：

以所述第一电极、所述栅极和所述第二电极为掩膜，对未被所述第一电极、所述栅极和所述第二电极覆盖的所述栅极绝缘层进行刻蚀，以使部分的所述有源层露出；

对露出的所述有源层进行导体化处理。