[发明专利]一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路在审

专利信息
申请号: 202110703141.X 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN113162707A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 赵新强;谢李萍;万彬;李巧华;刘娟 申请(专利权)人: 成都旋极星源信息技术有限公司
主分类号: H04B17/21 分类号: H04B17/21;H04B1/10
代理公司: 成都中汇天健专利代理有限公司 51257 代理人: 周成宝
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 射频 信号 接收机 中频 直流 失调 校准 dcoc 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路,其特征在于,包括运算放大器OPA1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1及电容C2,所述运算放大器OPA1设有两个输入端和两个输出端,运算放大器OPA1的一个输出端连接电阻R2,所述电容C1的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1同相输入端连接,所述电阻R2另一端外接可变增益放大器的DCOCP管脚;所述运算放大器OPA1的另一个输出端连接电阻R4,所述电容C2的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1反相输入端连接,所述电阻R4另一端外接可变增益放大器的DCOCN管脚;所述NMOS晶体管M1栅极和NMOS晶体管M2栅极均用于输入基准电压VREF,NMOS晶体管M1源极与运算放大器OPA1同相输入端连接,其漏极与电阻R1一端连接,所述电阻R1相对连接NMOS晶体管M1漏极端的另一端外接低通滤波器输出端;所述NMOS晶体管M2源极与运算放大器OPA1反相输入端连接,其漏极与电阻R3一端连接,所述电阻R3相对连接NMOS晶体管M2漏极端的另一端外接低通滤波器输出端。

2.根据权利要求1所述的一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路,其特征在于,所述NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2两者尺寸相同。

3.根据权利要求1或2或所述的一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路,其特征在于,所述运算放大器OPA1包括PMOS晶体管M3、PMOS晶体管M4、PMOS晶体管M5、PMOS晶体管M8、PMOS晶体管M9、PMOS晶体管M10、PMOS晶体管M11、PMOS晶体管M14、PMOS晶体管M15、电容C3、电容C4、电阻R5、电阻R6及共模电平负反馈控制电路,所述PMOS晶体管M3、PMOS晶体管M4及PMOS晶体管M5三者的源极均接电源,三者的栅极相互连接;所述PMOS晶体管M3漏极与PMOS晶体管M10漏极连接,且PMOS晶体管M3漏极与PMOS晶体管M10漏极之间的线路上设有一个输出端;所述PMOS晶体管M5漏极与PMOS晶体管M11漏极连接,且PMOS晶体管M5漏极与PMOS晶体管M11漏极之间的线路上设有一个输出端;所述PMOS晶体管M8与PMOS晶体管M9两者的源极连接,PMOS晶体管M4连接于PMOS晶体管M8源极与PMOS晶体管M9源极之间的线路上,PMOS晶体管M8与PMOS晶体管M9两者的栅极均作为输入端;所述PMOS晶体管M8漏极与PMOS晶体管M14漏极连接,所述PMOS晶体管M10栅极连接于PMOS晶体管M8漏极与PMOS晶体管M14漏极之间的线路上,所述电容C3与电阻R5串联,该串联支路两端分别与PMOS晶体管M10栅极和漏极连接;所述PMOS晶体管M9漏极与PMOS晶体管M15漏极连接,所述PMOS晶体管M11栅极连接于PMOS晶体管M9漏极与PMOS晶体管M15漏极之间的线路上,所述电容C4与电阻R6串联,该串联支路两端分别与PMOS晶体管M11栅极和漏极连接;所述PMOS晶体管M10、PMOS晶体管M14及PMOS晶体管M15三者的源极均接地,所述共模电平负反馈控制电路用于向PMOS晶体管M14栅极和PMOS晶体管M15栅极输入反馈信号。

4.根据权利要求3所述的一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路,其特征在于,所述共模电平负反馈控制电路包括PMOS晶体管M6、PMOS晶体管M7、PMOS晶体管M12、PMOS晶体管M13、PMOS晶体管M16、PMOS晶体管M17、电容C5、电容C6、电阻R7及电阻R8,所述PMOS晶体管M6和PMOS晶体管M7两者的源极均与电源连接,PMOS晶体管M7漏极与其栅极连接,且其漏极用于输入参考电流信号;所述PMOS晶体管M12源极与PMOS晶体管M13源极连接,PMOS晶体管M6连接于PMOS晶体管M12源极与PMOS晶体管M13源极之间的线路上,PMOS晶体管M13栅极用于输入参考电平;所述电容C5与电阻R7并联,该并联支路一端与PMOS晶体管M12栅极连接,另一端与PMOS晶体管M5漏极和PMOS晶体管M11漏极之间的输出端连接;所述电容C6与电阻R8并联,电容C6与电阻R8并联形成的并联支路一端与PMOS晶体管M12栅极连接,另一端与PMOS晶体管M3漏极和PMOS晶体管M10漏极之间的输出端连接;所述PMOS晶体管M12源极与PMOS晶体管M17源极均接地,PMOS晶体管M12漏极与PMOS晶体管M16漏极连接,PMOS晶体管M16漏极与其栅极连接,PMOS晶体管M16栅极与PMOS晶体管M6栅极和PMOS晶体管M7栅极连接用于反馈信号;所述PMOS晶体管M13栅极用于输入参考电平,PMOS晶体管M13漏极与PMOS晶体管M17漏极连接,PMOS晶体管M17漏极与其栅极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都旋极星源信息技术有限公司,未经成都旋极星源信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110703141.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top