[发明专利]一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路

说明书

本发明公开了一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，包括运算放大器OPA1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1及电容C2，运算放大器OPA1的一个输出端连接电阻R2，电容C1的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1同相输入端连接。运算放大器OPA1的另一个输出端连接电阻R4，电容C2的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1反相输入端连接。NMOS晶体管M1源极与运算放大器OPA1同相输入端连接，其漏极与电阻R1一端连接。NMOS晶体管M2源极与运算放大器OPA1反相输入端连接，其漏极与电阻R3一端连接。本发明能实现低的直流失调校准高通转折频率和较小的版图面积的，减小芯片整体面积，降低制造成本。

技术领域

本发明涉及无线电子通信领域，具体是一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路。

背景技术

随着物联网技术服务千家万户，要求移动无线通信技术中接收机的功耗和成本越来越低。为了迎接挑战，低中频/零中频接收机和直接上变频调制发射机结构成为了主流选择。接收机中频部分增益通常约为70dB，混频器本振信号LO泄漏与LO自混频产生的直流分量会在中频部分产生很大的直流失调，使得中频部分电路饱和，导致接收信号检测没法正常进行。

为了抑制直流失调，传统做法是在低通滤波器（LPF）与可变增益放大器（VGA）之间插入一个低转折频率的RC高通滤波器，如图1所示。一般而言，这个转折频率较低，需要的电阻和电容极大，而且电容无法用MOS晶体管实现，大电容的版图极占面积。为了克服传统做法的缺点，人们设计了一种经典的实现方法，如图2所示。这种校准直流失调的方法能够校准中频所有级的直流失调，而且电容可以由MOS晶体管实现，然而，其会提高转折频率，需要更大的电容和电阻，其面积也会较大。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中直流失调校准电路存在高转折频率和版图面积大的问题，提供了一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，其能实现低的直流失调校准高通转折频率和较小的版图面积的，减小芯片整体面积，降低制造成本。

本发明的目的主要通过以下技术方案实现：

一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，包括运算放大器OPA1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1及电容C2，所述运算放大器OPA1设有两个输入端和两个输出端，运算放大器OPA1的一个输出端连接电阻R2，所述电容C1的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1同相输入端连接，所述电阻R2另一端外接可变增益放大器的DCOCP管脚；所述运算放大器OPA1的另一个输出端连接电阻R4，所述电容C2的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1反相输入端连接，所述电阻R4另一端外接可变增益放大器的DCOCN管脚；所述NMOS晶体管M1栅极和NMOS晶体管M2栅极均用于输入基准电压V_REF，NMOS晶体管M1源极与运算放大器OPA1同相输入端连接，其漏极与电阻R1一端连接，所述电阻R1相对连接NMOS晶体管M1漏极端的另一端外接低通滤波器输出端；所述NMOS晶体管M2源极与运算放大器OPA1反相输入端连接，其漏极与电阻R3一端连接，所述电阻R3相对连接NMOS晶体管M2漏极端的另一端外接低通滤波器输出端。

本发明应用时，通过控制基准电压V_REF使NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2工作在亚阈值区域，提供一个极大地电阻值，如此，电阻R1、电阻R3、电容C1及电容C2的值可以做到较小，实现低的直流失调校准高通转折频率和较小的版图面积的目的。

进一步的，所述NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2两者尺寸相同。如此，本发明中NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2两者的电阻相等。