[发明专利]扇出式基板及其形成方法在审
| 申请号： | 202110703770.2 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113643984A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扇出式基板 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成扇出式基板的方法，其特征在于，包括：
提供并排设置的第二线路层和第一线路层；
通过引线将所述第一线路层电连接至所述第二线路层；
翻转所述第一线路层以将所述第一线路层接合至所述第二线路层的上表面。
2.根据权利要求1所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在翻转所述第一线路层时，弯折所述引线。
3.根据权利要求2所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，所述引线在所述扇出式基板的位于所述第二线路层和所述第一线路层之间的侧边处具有弯折部。
4.根据权利要求1所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在通过所述引线将所述第一线路层电连接至所述第二线路层后，在所述第二线路层和所述第一线路层上形成粘合层，所述粘合层包覆所述引线，在翻转所述第一线路层后，所述粘合层位于所述第一线路层和所述第二线路层之间。
5.根据权利要求4所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，所述第二线路层和所述第一线路层并排放置时，在所述第二线路层和所述第一线路层之间具有间隙，所述粘合层部分地填充所述间隙，在翻转所述第一线路层后，所述粘合层位于所述第二线路层和所述第一线路层的部分侧壁上。
6.根据权利要求4所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在所述翻转后，所述第二线路层上的所述粘合层和所述第一线路层上的所述粘合层之间具有分界面。
7.根据权利要求6所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，所述分界面位于所述粘合层的厚度的一半的位置处。
8.根据权利要求4所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在所述翻转后，所述粘合层的高度与所述第二线路层的高度的比率在1/2和2/3之间。
9.根据权利要求1所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在所述翻转之前，所述引线的第一端部位于所述第一线路层的邻近所述第二线路层的一侧，所述引线的第二端部位于所述第二线路层的邻近所述第一线路层的一侧。
10.根据权利要求1所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，所述第一线路层和所述第二线路层在所述翻转后相互面对的面积小于25mm*25mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
